[发明专利]非易失性纳米管二极管和非易失性纳米管区块与使用其的系统及其制造方法

权利要求书

1.一种非易失性纳米管二极管器件，包括：

第一端子及第二端子；

半导体元件，包括阴极及阳极，且能响应于施加至所述第一端子的电刺激， 在所述阴极与阳极之间形成导电路径；以及

纳米管开关元件，包括与所述半导体元件电连通的纳米管结构制品，所述 纳米管结构制品设置在所述半导体元件与所述第二端子之间，且能在所述半导 体元件与所述第二端子之间形成导电路径；

其中施加在所述第一及第二端子上的电刺激造成第一逻辑状态和第二逻 辑状态；

其中所述纳米管结构制品由非织物网状物的纳米管元件所构成；并且

其中所述非织物网状物的纳米管元件提供贯穿所述纳米管结构制品的至 少一个导电路径。

2.如权利要求1所述的非易失性纳米管二极管器件，其特征在于，在所 述第一逻辑状态中，在所述第一及第二端子之间的导电路径实质上被禁用，并 且，其中在所述第二逻辑状态中，在所述第一及第二端子之间的导电路径被启 用。

3.如权利要求2所述的非易失性纳米管二极管器件，其特征在于，在所 述第一逻辑状态中所述纳米管制品具有相对较高的电阻，并且，在所述第二逻 辑状态中所述纳米管制品具有相对较低的电阻。

4.如权利要求3所述的非易失性纳米管二极管器件，其中所述纳米管结 构制品包括未对准的纳米管的非织物网状物。

5.如权利要求4所述的非易失性纳米管二极管器件，其特征在于，在所 述第二逻辑状态中，所述未对准的纳米管的非织物网状物包括在所述半导体元 件与所述第二端子之间的至少一电导电路径。

6.如权利要求4所述的非易失性纳米管二极管器件，其特征在于，所述 纳米管结构制品包括一多层结构。

7.如权利要求1所述的非易失性纳米管二极管器件，其特征在于，在所 述第一及第二端子之间的阈值电压以上，所述半导体元件能够使电流从所述阳 极流动至所述阴极，并且，其中在所述第一及第二端子之间的所述阈值电压以 下，所述半导体元件无法使电流从所述阳极流动至所述阴极。

8.如权利要求2所述的非易失性纳米管二极管器件，其特征在于，在所 述第一逻辑状态中，在所述阳极与所述第二端子之间的一导电路径被禁用。

9.如权利要求2所述的非易失性纳米管二极管器件，其特征在于，在所 述第二逻辑状态中，在所述阳极与所述第二端子之间的一导电路径被启用。

10.如权利要求2所述的非易失性纳米管二极管器件，其特征在于，所 述纳米管开关元件进一步包括导电触点，其设置在所述纳米管结构制品与所述 半导体元件之间，并在所述纳米管结构制品与所述半导体元件之间提供电连通 路径。

11.如权利要求10所述的非易失性纳米管二极管器件，其特征在于，所 述第一端子与所述阳极电连通，并且，所述阴极与所述纳米管开关元件的所述 导电触点电连通。

12.如权利要求11所述的非易失性纳米管二极管器件，其特征在于，当 在所述第二逻辑状态时，所述非易失性纳米管二极管器件能够实质上带动电流 由所述第一端子流动至所述第二端子。

13.如权利要求10所述的非易失性纳米管二极管器件，其特征在于，所 述第一端子与所述阴极电连通，并且，所述阳极与所述纳米管开关元件的所述 导电触点电连通。

14.如权利要求13所述的非易失性纳米管二极管器件，其特征在于，当 在所述第二逻辑状态时，所述元件能够实质上带动电流由所述第二端子流动至 所述第一端子。

15.如权利要求1所述的非易失性纳米管二极管器件，其特征在于，所述 阳极包括导电材料，并且，所述阴极包括n型半导体材料。

16.如权利要求10所述的非易失性纳米管二极管器件，其特征在于，所 述阳极包括p型半导体材料，并且，所述阴极包括n型半导体材料。