[发明专利]谐振器及其制造方法

权利要求书

1.一种制造谐振器(40)的方法，包括步骤：

形成具有衬底(2)、衬底(2)上的掩埋氧化物层(4)、掩埋氧化物层上的半导体层(6)的鳍片场效应晶体管结构，使得所述半导体层形成图案来限定聚拢在中心区(8)中的四个半导体区，四个半导体区包括由中心杆(14)连接的相对的第一区(10)和第二区(12)以及在中心杆(14)的两侧上的相对的第三区(16)和第四区(18)，氧化物绝缘层(20)位于第三区(16)和第四区(18)中每一个与中心杆(14)之间；以及

选择性地蚀刻掉中心区(8)中的掩埋氧化物层(4)和氧化物绝缘层(20)来在中心杆(14)下形成空腔(22)，并且蚀刻掉第三区(16)和第四区(18)与中心杆之间的氧化物绝缘层(20)，使得中心杆(14)形成谐振器元件(30)，第一区和第二区形成谐振器固定器(32，34)，并且第三区和第四区形成控制电极(36)和感测电极(38)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成鳍片场效应晶体管结构的步骤包括：

在掩埋氧化物层上形成第一半导体层(5)；

将第一半导体层(5)形成图案以形成第一区(10)和第二区(12)以及中心杆(14)；

在中心杆(14)上沉积氧化物绝缘层(20)；

沉积第二半导体层(7)；以及

将第二半导体层(7)形成图案以在中心区的两侧上形成通过氧化物绝缘层与中心杆(14)分隔的第三区(16)和第四区(18)。

3.根据权利要求2所述的方法，其中将第二半导体层形成图案的步骤包括执行化学机械抛光步骤来在预定水平之上去除第二半导体层(7)以从中心杆(14)上方去除第二半导体层。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其中将第一半导体层和第二半导体层中的至少一个形成图案的步骤包括形成硬掩模，将硬掩模形成图案并且随后利用硬掩模来蚀刻各个半导体层。

5.一种制造包括谐振器的半导体器件的方法，所述方法包括步骤：

提供衬底(2)；

在衬底(2)上形成掩埋氧化物层(4)；

利用权利要求1到4中任一所述的方法在衬底上的衬底的谐振器区(42)中形成谐振器(40)，并且在衬底的至少一个有源器件区  (46)上形成至少一个有源器件(44)；

在谐振器区(42)上沉积热分解聚合物(48)并将其形成图案；

在有源器件区(46)和谐振器区(42)上的热分解聚合物(48)上沉积可渗透电介质层(50)；

加热器件来分解热分解聚合物以形成第二空腔(51)。

6.根据权利要求5所述的制造包括谐振器的半导体器件的方法，还包括步骤：在加热器件来分解热分解聚合物的步骤之后，在可渗透电介质层(50)上沉积预金属电介质(52)，并且通过化学机械抛光来平整所述预金属电介质(52)。

7.根据权利要求6所述的制造包括谐振器的半导体器件的方法，还包括在预金属电介质(52)上形成多层金属化层(54)。

8.根据权利要求5到7中任一所述的方法，还包括蚀刻出从半导体器件的顶面穿过可渗透电介质层(50)到达第二空腔(51)的开口(56)以暴露所述空腔。