[发明专利]荧光体、具有该荧光体的荧光体糊及发光元件

说明书

技术领域

本发明涉及一种荧光体、具有该荧光体的荧光体糊及发光元件。

背景技术

由于荧光体通过照射激励源进行发光，所以被用于发光元件中。作为发光元件，可以举出荧光体的激励源为电子束的电子束激励发光元件(例如布劳恩管、场致发射显示器、表面电场显示器等)、荧光体的激励源为紫外线的紫外线激励发光元件(例如液晶显示器用背光灯、三波长型荧光灯、高负荷荧光灯等)、荧光体的激励源为真空紫外线的真空紫外线激励发光元件(例如等离子显示屏、稀有气体灯等)、荧光体的激励源为蓝色LED所发出的光或紫外LED所发出的光的白色LED等。

作为以往的荧光体，已知有由式Ba_0.98ZrSi₃O₉:Eu_0.02表示的真空紫外线激励发光元件用的荧光体(特开2006—2043号公报)。但是，以往的荧光体的发光亮度不够。

发明内容

本发明的目的在于提供一种示出高发光亮度的荧光体、具有该荧光体的荧光体糊及发光元件。

本发明人等为了解决所述课题而反复进行潜心研究，以至完成本发明。

即，本发明提供下述<1>～<8>。

<1>一种荧光体，其是将含有M¹、M²及M³(在此，M¹为从Ba、Sr及Ca构成的组中选择的至少1种，M²为从Ti、Zr、Hf、Si、Ge及Sn构成的组中选择的至少1种且至少含有Sn，M³为从Si及Ge构成的组中选择的至少1种。)的氧化物作为母体含有活化剂的荧光体。

<2>根据<1>记载的荧光体，其中，

含有M¹、M²及M³(在此，M¹、M²及M³与上述相同。)的氧化物由式(1)表示。

aM¹O·bM²O₂·cM³O₂  (1)

式中，M¹为从Ba、Sr及Ca构成的组中选择的至少1种，

M²为从Ti、Zr、Hf、Si、Ge及Sn构成的组中选择的至少1种且至少含有Sn，

M³为从Si及Ge构成的组中选择的至少1种，

a为0.9以上且1.1以下，

b为0.9以上且1.1以下，

c为2.9以上且3.1以下。

<3>根据<1>或<2>记载的荧光体，其中，

活化剂为Eu。

<4>根据<1>～<3>中任意一项记载的荧光体，其中，

M²为Sn及Zr。

<5>一种荧光体，其是由式(2)表示的荧光体。

(Ba_1-x-ySr_xEu_y)(Sn_1-zZr_z)Si₃O₉  (2)

式中，x为0以上且不到1，

y为0.0001以上且0.5以下，

x+y不到1，

z为0.5以上且不到1。

<6>一种荧光体糊，其中，

具有所述<1>～<5>中任意一项记载的荧光体。

<7>一种荧光体层，其是通过在基板上涂布所述<6>记载的荧光体糊之后进行热处理而得到的。

<8>一种发光元件，其中，

具有所述<1>～<5>中任意一项记载的荧光体。

附图说明

图1表示荧光体1的X射线衍射图形。

图2表示荧光体2的X射线衍射图形。

具体实施方式

荧光体