[发明专利]利用4层系叠层体进行的半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括在半导体基板上按照有机下层膜A层、含硅的硬掩模B层、有机防反射膜C层和光致抗蚀剂膜D层的顺序叠层各层的工序，

所述含硅的硬掩模B层含有含硅聚合物(b)，所述含硅聚合物(b)含有聚硅烷(b1)、聚硅氧烷(b2)、聚碳硅烷(b3)或它们的组合，

所述聚硅烷(b1)包含式(b1-1)、式(b1-2)或它们的组合， 式(b1-1)

式中、各R分别独立地表示氢原子、羟基、碳原子数1～10的环状或链状烷基、碳原子数1～10的烷氧基、碳原子数7～15的芳烷基、碳原子数6～14的芳基、碳原子数7～15的芳基氧基烷基、碳原子数2～10的链烯基或碳原子数2～10的烷氧基烷基，m为重复单元的数，表示10～300， 式(b1-2)

式中、R和m与式(b1-1)中定义有相同的含义，

所述聚硅氧烷(b2)是式(b2-1)、式(b2-2)、式(b2-3)或它们的组合，

式(b2-1)

式中、R和m与式(b1-1)中定义表示相同的含义，

式(b2-2) 

式中、R和m与式(b1-1)中定义表示相同的含义，

式(b2-3)

式中、m与式(b1-1)中定义表示相同的含义，

所述聚碳硅烷(b3)是式(b3-1)、式(b3-2)或它们的组合， 式(b3-1)

式中、R和m与式(b1-1)中定义表示相同的含义，

式(b3-2)

式中、R和m与式(b1-1)中定义具有相同的意义，n是重复单元的数，表示1～10。

2.一种半导体器件的制造方法，包括下述工序：

在半导体基板上形成有机下层膜A层的工序；在有机下层膜上形成含硅的硬掩模B层的工序；在硬掩模上形成有机防反射膜C层的工序；和在有机防反射膜上形成光致抗蚀剂膜D层的工序；通过曝光和显影来对光致抗蚀剂膜D层形成抗蚀剂图形的工序；按照抗蚀剂图形来蚀刻有机防反射膜C层的工序；利用已构图化了的有机防反射膜C层来蚀刻含硅的硬掩模B层的工序；利用已构图化了的含硅的硬掩模B层来蚀刻有机下层膜A层的工序；利用已构图化了的有机下层膜A层来加工半导体基板的工序，

所述含硅的硬掩模B层含有含硅聚合物(b)，所述含硅聚合物(b)含有聚硅烷(b1)、聚硅氧烷(b2)、聚碳硅烷(b3)或它们的组合，

所述聚硅烷(b1)包含式(b1-1)、式(b1-2)或它们的组合， 式(b1-1)

式中、各R分别独立地表示氢原子、羟基、碳原子数1～10的环状或 链状烷基、碳原子数1～10的烷氧基、碳原子数7～15的芳烷基、碳原子数6～14的芳基、碳原子数7～15的芳基氧基烷基、碳原子数2～10的链烯基或碳原子数2～10的烷氧基烷基，m为重复单元的数，表示10～300， 式(b1-2)

式中、R和m与式(b1-1)中定义有相同的含义，

所述聚硅氧烷(b2)是式(b2-1)、式(b2-2)、式(b2-3)或它们的组合，

式(b2-1)

式中、R和m与式(b1-1)中定义表示相同的含义，

式(b2-2)

式中、R和m与式(b1-1)中定义表示相同的含义，

式(b2-3)

式中、m与式(b1-1)中定义表示相同的含义，

所述聚碳硅烷(b3)是式(b3-1)、式(b3-2)或它们的组合， 式(b3-1)

式中、R和m与式(b1-1)中定义表示相同的含义，

式(b3-2)

式中、R和m与式(b1-1)中定义具有相同的意义，n是重复单元的数，表示1～10。 

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件的制造方法，有机下层膜A层的膜厚为50～500nm，含硅的硬掩模B层的膜厚为50～200nm，有机防反射膜C层的膜厚为10～100nm，A层∶B层∶C层的膜厚比为1～10∶1～5∶1的比例。

4.根据权利要求1或2所述的半导体器件的制造方法，有机下层膜A层是含有在主链或与主链结合的侧链上具有芳香族稠环的聚合物的层。