[发明专利]用于将间距倍增大于2的因数的单个间隔物工艺及相关中间IC结构

权利要求书

1.一种用于制作集成电路的方法，其包含：

在衬底上方提供第一心轴，所述第一心轴具有第一宽度；

在所述第一心轴上方提供第二心轴，所述第二心轴具有比所述第一宽度小的第二宽度且由与所述第一心轴不同的材料形成；

同时在所述第一及第二心轴的侧壁上形成间隔物；

选择性地移除所述第一心轴及所述第二心轴的相对于所述间隔物的至少若干部分以形成由所述间隔物界定的间隔物图案；及

通过由所述间隔物图案界定的掩模处理所述衬底。

2.如权利要求1所述的方法，其中处理包含蚀刻以将所述间隔物图案转移到所述衬底。

3.如权利要求2所述的方法，其进一步包含将所述间隔物图案转移到下部硬掩模层及在处理之前移除所述间隔物。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述衬底包含上部层间电介质层且通过所述掩模处理形成镶嵌沟槽。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述间隔物图案包含具有连接的回路端的伸长线，且所述方法进一步包含在处理之前阻断所述回路端。

6.如权利要求3所述的方法，其中在所述衬底上方提供所述第一心轴包含在导体上方提供所述第一心轴。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述间隔物图案包含具有连接的回路端的伸长线，且所述方法进一步包含在处理之前移除所述回路端。

8.如权利要求1所述的方法，其中提供所述第二心轴包含提供平行于所述第一心轴延伸的所述第二心轴。

9.如权利要求1所述的方法，其中提供所述第二心轴包含提供相对于所述第一心轴居中的所述第二心轴。

10.如权利要求1所述的方法，其中同时形成所述间隔物提供具有比所述第一宽度小的第三宽度的间隔物。

11.如权利要求1所述的方法，其中提供所述第二心轴包含使用分辨率限制大于200nm的光刻法。

12.如权利要求1所述的方法，其进一步包含在所述第二心轴上提供第三心轴，所述第三心轴具有第三宽度。

13.如权利要求12所述的方法，其中提供所述第三心轴包含提供具有比所述第二宽度小的所述第三宽度的所述第三心轴。

14.如权利要求13所述的方法，其中提供所述第三心轴包含提供相对于所述第二心轴居中的所述第三心轴。

15.如权利要求1所述的方法，其中选择性地移除包含移除所述第一心轴的若干部分。

16.如权利要求1所述的方法，其中选择性地移除包含留下所述第一心轴的直接在所述第二心轴的所述侧壁上的间隔物下方的若干部分。

17.如权利要求1所述的方法，其中形成间隔物包含在所述衬底的表面上毯覆沉积间隔物材料。

18.如权利要求1所述的方法，其中同时形成间隔物包含提供具有小于或等于所述第一宽度的半倍减去所述第二宽度的半倍的宽度的间隔物。

19.如权利要求1所述的方法，其中提供所述第一心轴包含图案化光致抗蚀剂层，且其中提供所述第二心轴包含通过经图案化的光致抗蚀剂层蚀刻一层第二心轴材料。

20.如权利要求19所述的方法，其进一步包含在蚀刻所述一层第二心轴材料之后各向同性地蚀刻所述经图案化的光致抗蚀剂层。

21.一种用于使用分层的心轴沿一个维度形成间距倍增因数2n的线图案的方法，其包含：

在衬底上方提供n层堆叠心轴，其中n≥2，所述n层中的每一者包含多个伸长心轴，所述多个伸长心轴对于其大部分长度而言彼此平行，其中层n处的心轴在层n-1处的心轴上方且平行于层n-1处的所述心轴，其中层n处的邻近心轴之间的距离大于层n-1处的邻近心轴之间的距离，其中直接相邻的心轴由不同的材料形成；及

同时在所述心轴的侧壁上形成间隔物。

22.如权利要求21所述的方法，其中提供n层堆叠心轴包含提供层n处的与层n-1处的心轴直接接触的心轴。

23.如权利要求21所述的方法，其中提供n层堆叠心轴包含提供层n处的在层n-1处的心轴上方居中的心轴。