[发明专利]用于大表面积接触应用的高度可及纳米管电极有效
申请号: | 200780038041.8 | 申请日: | 2007-09-12 |
公开(公告)号: | CN101529542A | 公开(公告)日: | 2009-09-09 |
发明(设计)人: | A·G·兰兹勒;J·R·雷诺兹;R·K·达斯 | 申请(专利权)人: | 佛罗里达大学研究基金公司 |
主分类号: | H01G9/058 | 分类号: | H01G9/058;H01G9/20;C01B31/02 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 杨晓光;李 峥 |
地址: | 美国佛*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 表面积 接触 应用 高度 纳米 电极 | ||
1.一种用于形成多孔碳纳米管或纳米线膜的方法,其特征在 于:
通过下列步骤形成包括碳纳米管或纳米线以及牺牲性纳米颗 粒和/或微颗粒的复合膜:
提供多孔基膜;
将多个所述纳米管或纳米线和具有至少一个小于100纳米的 轴的所述牺牲性纳米颗粒和/或具有至少一个100纳米和100微米之间 的轴的所述微颗粒分散到溶液中,所述溶液包括至少一种表面稳定 剂用于防止所述纳米管或纳米线从悬浮液絮凝;
将所述溶液施加到所述基膜上;以及
去除所述溶液,其中所述纳米管或纳米线和所述牺牲性 纳米颗粒和/或微颗粒被施加到所述多孔基膜表面上,以形成设置 在所述基膜上的所述复合膜;以及
从所述膜去除所述牺牲性纳米颗粒和/或微颗粒的至少一部 分,以形成多孔纳米管或纳米线膜。
2.根据权利要求1的方法,其特征在于,所述多孔纳米管或 纳米线膜在25℃的电阻率为<6×10-3Ω·cm。
3.根据权利要求1的方法,其特征在于,多于95%的所述纳 米管为单壁碳纳米管。
4.根据权利要求1的方法,其特征在于,所述纳米颗粒或微 颗粒具有均匀的尺寸。
5.根据权利要求1的方法,其特征在于,所述纳米颗粒和/ 或微颗粒具有一定的尺寸范围。
6.根据权利要求1的方法,其特征还在于,
在所述施加步骤之前向所述悬浮液添加除所述表面稳定剂之 外的添加剂,所述添加剂防止所述纳米颗粒或微颗粒与所述纳米 管或纳米线的相分离。
7.根据权利要求6的方法,其特征在于,所述添加剂包括强 酸。
8.根据权利要求1的方法,其特征在于,所述纳米颗粒和/ 或微颗粒在涉及在溶剂中溶解所述纳米颗粒和/或微颗粒的过程 中去除,使所述膜在随后使用的后续处理中保持湿润。
9.一种根据权利要求1到8中任一项的方法形成的导电多孔 膜。
10.根据权利要求9的膜,其特征在于,多于95%的所述纳 米管为单壁碳纳米管。
11.根据权利要求9的膜,其特征在于,所述膜由所述纳米 管构成。
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