[发明专利]具有改善尺寸可缩放性的金属镶嵌式金属-绝缘体-金属器件

权利要求书

1.一种制造内存器件的方法，包括：

设置介电层(110)；

在该介电层(110)中设置开口(112)；

在该开口(112)中设置第一导电主体(116A)；

在该开口(112)内设置切换主体(118A)以完全覆盖该第一导电主体，该第一导电主体(116A)和切换主体(118A)填满该开口(112)；以及在该切换主体(118A)之上设置第二导电主体(120A)。

2.如权利要求1所述的方法，其中，该切换主体(118A)从该第一导电主体(116A)生长出来。

3.如权利要求1所述的方法，其中，通过在该介电层(110)和切换主体(118A)之上设置导电层(120)及图案化该导电层(120)以形成该第二导电主体(120A)，而设置该第二导电主体(120A)。

4.如权利要求1所述的方法，其中，通过在该介电层(110)和切换主体(118A)之上设置第二介电层(122)、在该第二介电层(122)中设置开口(123)、及在该第二介电层(122)中的该开口(123)中设置该第二导电主体(128)，而设置该第二导电主体(128)。

5.一种制造内存器件的方法，包括：

设置第一介电层(110)；

在该第一介电层(110)中设置开口(112)；

在该第一介电层(110)中的该开口(112)中设置第一导电主体(116A)以填满该第一介电层(110)中的该开口(112)；

设置第二介电层(150)；

在该第二介电层(150)中设置开口(152)；

在该第二介电层(150)中的该开口(152)中设置切换主体(156A)，以填满该第二介电层(150)中的该开口(152)并完全覆盖该第一导电主体；以及

在该切换主体(156A)之上设置第二导电主体(160A)。

6.如权利要求5所述的方法，其中，通过在该第二介电层(150)和切换主体(156A)之上设置导电层(160)及图案化该导电层(160)以形成该第二导电主体(160A)，而设置该第二导电主体(160A)。

7.一种内存器件，包括：

具有开口(200)的介电层(110)；

在该开口(200)中的第一导电层；

完全在该开口(200)内和该第一导电层上的切换材料层(220A)，以完全覆盖该第一导电层；以及

在该开口(200)之上和该切换材料层(220A)上的第二导电层(230A)。

8.如权利要求7所述的内存器件，进一步包括在该介电层(110)中的该开口(200)中的第一和第二绝缘壁(206、208)，该第一导电层和切换材料层(220A)在这些绝缘壁(206、208)之间。

9.如权利要求7所述的内存器件，进一步包括在该介电层(110)中的该开口(200)中的第一和第二导电壁(242、244)，该第一导电层和切换材料层(260A)在这些导电壁(242、244)之间。

10.如权利要求9所述的内存器件，进一步包括连接该第一和第二导电壁(242、244)的导电连接部分(246)，以及在该导电连接部分上的该第一导电层。