[发明专利]Ⅲ族氮化物衬底、设置有外延层的衬底、制造上述衬底的方法以及制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种III族氮化物衬底(1)，其中所述III族氮化物衬底选自由GaN 制成的衬底、由AlN制成的衬底及其混合晶体衬底，其中每平方厘米 表面(3)的酸性物质的原子个数为2×10¹⁴以下，并且每平方厘米所述表 面(3)的硅原子个数为3×10¹³以下。

2.根据权利要求1所述的III族氮化物衬底(1)，其中表面粗糙度 Ra为1nm以下。

3.根据权利要求1所述的III族氮化物衬底(1)，其中形成于所述 表面(3)上的加工变质层的厚度为50nm以下。

4.一种III族氮化物衬底(1)，其中所述III族氮化物衬底选自由GaN 制成的衬底、由AlN制成的衬底及其混合晶体衬底，其中每平方厘米 表面(3)的硅原子个数为3×10¹³以下，并且所述表面(3)的浊度为5ppm 以下。

5.根据权利要求4所述的III族氮化物衬底(1)，其中表面粗糙度 Ra为1nm以下。

6.根据权利要求4所述的III族氮化物衬底(1)，其中形成于所述 表面(3)上的加工变质层的厚度为50nm以下。

7.一种III族氮化物衬底(1)，其中所述III族氮化物衬底选自由GaN 制成的衬底、由AlN制成的衬底及其混合晶体衬底，其中每平方厘米 表面(3)的酸性物质的原子个数为2×10¹⁴以下，并且所述表面(3)的浊度 为5ppm以下。

8.根据权利要求7所述的III族氮化物衬底(1)，其中表面粗糙度 Ra为1nm以下。

9.根据权利要求7所述的III族氮化物衬底(1)，其中形成于所述 表面(3)上的加工变质层的厚度为50nm以下。

10.一种设置有外延层的衬底(10)，包括：

由III族氮化物制成的基础衬底(1)；以及

形成于所述基础衬底(1)表面上的外延生长层(5)，

其中所述由III族氮化物制成的基础衬底选自由GaN制成的衬底、 由AlN制成的衬底及其混合晶体衬底，其中在所述基础衬底(1)和所述 外延生长层(5)之间的界面处每立方厘米的硅原子个数为1×10²⁰以下。

11.一种制造III族氮化物衬底的方法，包括：

抛光步骤(S210)：抛光III族氮化物衬底的表面，以及

在所述抛光步骤(S210)之后的清洗步骤(S230)：清洗所述III族氮 化物衬底的表面，

其中，在所述抛光步骤(S210)过程中以及在所述清洗步骤(S230) 之后控制与所述III族氮化物衬底相接触的环境气体，以保持在所述清 洗步骤(S230)之后所述III族氮化物衬底的每平方厘米所述表面的酸性 物质的原子个数为2×10¹⁴以下，

在所述抛光步骤(S210)中通过化学机械抛光来抛光所述III族氮化 物衬底的表面，并且

在所述化学机械抛光中使用的抛光液含有表面活性剂和酸，

其中所述III族氮化物衬底选自由GaN制成的衬底、由AlN制成的 衬底及其混合晶体衬底。

12.根据权利要求11所述的制造III族氮化物衬底的方法，其中 所述抛光液进一步包含氧化剂。

13.根据权利要求11所述的制造III族氮化物衬底的方法，其中 所述抛光液中包含的酸为有机酸。

14.根据权利要求13所述的制造III族氮化物衬底的方法，其中 所述有机酸为2元以上的羧酸。

15.根据权利要求11所述的制造III族氮化物衬底的方法，进一 步包括：在所述抛光步骤之后和在所述清洗步骤之前，使用酸性溶液 或碱性溶液抛光所述III族氮化物衬底的表面的步骤。