[发明专利]存储装置

权利要求书

1.一种存储装置，包括包含石墨的正电极材料、包含选自Ti、Zr、V、Cr、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Sn、Sb、Bi、W和Ta的至少一种金属元素的氧化物的负电极材料、以及电解质。

2.根据权利要求1的存储装置，其中所述金属元素的氧化物是包含至少钛作为所述金属元素的金属氧化物。

3.根据权利要求2的存储装置，其中所述金属氧化物是钛氧化物。

4.根据权利要求3的存储装置，其中所述钛氧化物的结晶形式是锐钛矿型和/或金红石型。

5.根据权利要求3的存储装置，其中通过加热层状钛酸化合物获得所述钛氧化物。

6.根据权利要求3的存储装置，其中所述钛氧化物是二次颗粒，所述二次颗粒是初级颗粒的集合体。

7.根据权利要求3的存储装置，其中所述钛氧化物的比表面积为0.1-500m²/g。

8.根据权利要求3的存储装置，其中所述钛氧化物具有片状颗粒形状。

9.根据权利要求2的存储装置，其中所述金属氧化物是钛和碱金属或碱土金属元素的复合氧化物。

10.根据权利要求1的存储装置，其中所述石墨的比表面积为0.5-300m²/g。

11.根据权利要求1的存储装置，其中所述电解质包含非水溶剂和锂盐。