[发明专利]功率放大器有效

专利信息
申请号: 200780039112.6 申请日: 2007-10-18
公开(公告)号: CN101529716A 公开(公告)日: 2009-09-09
发明(设计)人: 马尔科·贝尔库特 申请(专利权)人: NXP股份有限公司
主分类号: H03F3/217 分类号: H03F3/217;H03K17/06;H03K19/017;H03K17/687
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 代理人: 陈 源;张天舒
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 功率放大器
【权利要求书】:

1.一种功率放大器,其包括:

第一晶体管(MH),其具有耦接在正供电端(Vdd)和输出端(Vout) 之间的第一主通道,所述第一晶体管具有被高侧驱动器电路所提供的 第一栅极信号(Vgatehigh)所驱动的控制端,所述高侧驱动器电路由第 一电压端(Vboot)偏置,

第二晶体管(ML),其具有耦接在输出端(Vout)和负供电端(Vss) 之间的第二主通道,所述第二晶体管具有被低侧驱动器电路所提供的 第二栅极信号(Vgatelow)所驱动的第二控制端,所述低侧驱动器电路 由第二电压端(Vreg)偏置,以及

开关电路(10),其被耦接在第一电压端(Vboot)和第二电压端(Vreg) 之间,所述开关电路被第二栅极信号(Vgatlow)所控制。

2.如权利要求1所述的功率放大器,其中所述开关电路(10) 包括第三晶体管(Mboot),所述第三晶体管(Mboot)具有耦接在第一 电压端(Vboot)和第二电压端(Vreg)之间的第三主通道,所述第三晶 体管(Mboot)具有被锁存电路(20)的输出所驱动的第三栅极端(Vb), 所述锁存电路(20)被第二栅极信号(Vgatelow)所控制。

3.如权利要求2所述的功率放大器,其中所述锁存电路(20) 包括:

第一反相器(I1),其具有与第三栅极端(Vb)耦接的第一反相器 输入以及与中间节点(Va)耦接的第一反相器输出,以及

第二反相器(I2),其具有与中间节点(Va)耦接的第二反相器输 入以及与第三栅极端(Vb)耦接的第二反相器输出。

4.如权利要求3所述的功率放大器,其中所述锁存电路还包括 第四晶体管(Mgate),所述第四晶体管具有与输出端(Vout)耦接的第 四控制端以及耦接在中间节点(Va)和第二栅极信号(Vgatelow)之间 的第四主通道,所述第四晶体管用于控制所述锁存电路(20)的状态。

5.如权利要求2至4中任一项所述的功率放大器,其中所述第 三晶体管(Mboot)是PMOS晶体管。

6.如权利要求4所述的功率放大器,其中所述第四晶体管(Mgate) 是PMOS晶体管。

7.一种集成电路,其包括如上述权利要求之一所述的功率放大 器。

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