[发明专利]发光二极管装置及其相关方法

权利要求书

1.一种半导体装置的冷却方法，该半导体装置具有一发光表面，其特征在于该方法包含：

通过一设置在该发光表面的钻石层来加速热量自半导体装置移除的速率。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的半导体装置为一发光二极管。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的半导体装置为一激光二极管。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中由发光表面所射出的光线通过该钻石层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的钻石层为透明。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的钻石层暴露于空气之中。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中至少部分通过热量横向地通过该钻石表面的方式来加速半导体装置的热量移除速率。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的至少部分通过热量自钻石层转移到空气的方式来加速半导体装置的热量移除速率。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于其中由钻石层转移到空气的热量转移速率大于由发光表面转移到空气中的热量转移速率。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中由发光表面转移到钻石层的热量转移速率大于由发光表面转移到空气的热量转移速率。

11.一种具增进热性能的半导体装置，其特征在于其包含：

一发光表面；

一钻石层，是设置在该发光表面的至少一部分上，且暴露于空气之中以加速自发光表面转移到空气中的热量转移速率。

12.根据权利要求11所述的具增进热性能的半导体装置，其特征在于其中所述的半导体装置为一发光二极管。

13.根据权利要求11所述的具增进热性能的半导体装置，其特征在于其中所述的半导体装置为一激光二极管。

14.根据权利要求11所述的具增进热性能的半导体装置，其特征在于其中所述的钻石层包含一成分，该成分是选自钻石、类钻碳、无晶钻石以及其结合。

15.根据权利要求11所述的具增进热性能的半导体装置，其特征在于其中所述的发光表面所射出的光线通过该钻石层。

16.根据权利要求15所述的具增进热性能的半导体装置，其特征在于其中所述的钻石层为透明。

17.一种如权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于其包含：

提供一半导体装置，该半导体装置具有一发光表面；

涂布一钻石层到该半导体装置的发光表面的至少一部分上以加速自发光表面移除热量的热量移除速率。

18.根据权利要求17所述的具增进热性能的半导体装置，其特征在于其中所述的半导体装置为一发光二极管。

19.根据权利要求17所述的具增进热性能的半导体装置，其特征在于其中所述的半导体装置为一激光二极管。

20.根据权利要求17所述的具增进热性能的半导体装置，其特征在于其中发光表面所射出的光线通过该钻石层。

21.根据权利要求17所述的具增进热性能的半导体装置，其特征在于其中所述的涂布钻石层的步骤中进一步包含将钻石层沉积为同构形钻石层。

22.一种使发光二极管超越自身最大运作瓦数的方法，其特征在于其包含：

以一钻石层来吸除发光二极管的发光表面上的热，以使发光二极管运作于一大于其自身最大运作瓦数的运作瓦数。