[发明专利]电-光调制器

权利要求书

1.一种光学调制器，包括：

环形谐振器；

波导，其相邻于并光学地耦合到所述环形谐振器；和

另外的掺杂区，其位于所述波导相对于所述环形谐振器的对面， 其中该另外的掺杂区是p-i-n结的一部分，所述p-i-n结围绕所述环 形谐振器形成了接近闭合的p-i-n结。

2.权利要求1的光学调制器，其中所述环形谐振器是硅微环谐振 器。

3.权利要求1的光学调制器，其中所述p-i-n结包括在所述环形 谐振器外部的n+掺杂区和在所述环形谐振器内部的p+掺杂区，并且其 中所述另外的掺杂区是n+掺杂的。

4.权利要求3的光学调制器，还包括电触点，该电触点被形成为 与所述n+掺杂区和所述p+掺杂区以及所述另外的掺杂区电接触。

5.一种光学调制器，其包括：

环形谐振器；

波导，其相邻于并光学地耦合到所述环形谐振器；

另外的掺杂区，其位于所述波导相对于所述环形谐振器的对面， 其中该另外的掺杂区是p-i-n结的一部分，所述p-i-n结围绕所述环 形谐振器形成了接近闭合的p-i-n结；和

电驱动器，其耦合到所述p-i-n结，向所述p-i-n结提供脉冲整 形输入。

6.权利要求5的光学调制器，其中所述脉冲整形输入提高电-光 调制速度。

7.权利要求6的光学调制器，其中所述电-光调制速度被提高到 最高达12.5gbps。

8.权利要求5的光学调制器，其中所述环形谐振器具有微米尺度 的特征尺寸。

9.权利要求5的光学调制器，其中所述环形谐振器是频率选择性 的。

10.权利要求9的光学调制器，其中所述光学调制器用于同时调 制多个载波。

11.权利要求5的光学调制器，其中所述光学调制器包括n-p-i-n 器件。

12.权利要求5的光学调制器，其使用互补金属氧化物半导体硅 制造设备形成。

13.权利要求5的光学调制器，其被集成到集成微电子芯片中。

14.权利要求5的光学调制器，其中注入到所述p-i-n结中的电 荷被限制到少于50万个电子，从而将功耗降低到适于进行微电子集成 的水平。

15.一种光学调制器，其包括：

波导；

多个环形谐振器，其顺次沿所述波导布置并耦合到所述波导；

另外的掺杂区，其位于所述波导相对于所述多个环形谐振器的对 面，其中该另外的掺杂区是多个p-i-n结中每个的一部分，所述多个 p-i-n结分别围绕所述多个环形谐振器形成了多个接近闭合的p-i-n 结；和

多个检测器，其耦合到所述波导。

16.权利要求15的光学调制器，其中所述检测器包括光学地耦合 到所述波导的多个环形谐振器。

17.权利要求15的光学调制器，其中所述多个环形谐振器具有不 同的谐振频率，并且其中所述多个检测器具有相应的不同的谐振频率， 以将不同频率的光信号解复用。

18.权利要求15的光学调制器，其中所述p-i-n结包括在相应的 环形谐振器外部的n+掺杂区和在相应的环形谐振器内部的p+掺杂区， 并且其中所述另外的掺杂区是n+掺杂的。

19.权利要求18的光学调制器，还包括电触点，该电触点被形成 为与所述p-i-n结的每个n+掺杂区和每个p+掺杂区以及所述另外的掺 杂区电接触。

20.权利要求15的光学调制器，还包括电驱动器，该电驱动器耦 合到所述p-i-n结，向所述p-i-n结提供脉冲整形输入。