[发明专利]包含存储器件的半导体器件及其驱动方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括存储器件，所述存储器件包含：

存储元件，具有：

第一导电层；

形成于所述第一导电层之上的含硅膜；以及

形成于所述含硅膜之上的第二导电层，所述第二导电层包 含与所述第一导电层的材料不同的材料；以及

将施加到所述存储元件上的用于写入数据的电压的极性改变成 不同极性的用于读出的电压的极性的电路。

2.一种半导体器件，包括存储器件，所述存储器件包含：

存储元件，具有：

第一导电层；

形成于所述第一导电层之上的含硅膜；以及

形成于所述含硅膜之上的第二导电层，所述第二导电层包

含与所述第一导电层的材料不同的材料；

第一晶体管，具有被电连接到所述第一导电层的一个电极；以及

第二晶体管，具有被电连接到所述第一导电层的一个电极、被接 地的另一个电极、和被连接到所述第二导电层的栅电极。

3.一种半导体器件，包括存储器件，所述存储器件包含：

存储元件，具有：

第一导电层；

形成于所述第一导电层之上的含硅膜；以及

形成于所述含硅膜之上的第二导电层，所述第二导电层包 含与所述第一导电层的材料不同的材料；

第一晶体管，具有被电连接到所述第一导电层的一个电极；

第二晶体管，具有被电连接到所述第一导电层的一个电极和被接 地的另一个电极；以及

第三晶体管，具有被电连接到所述第二导电层的一个电极、被电 连接到所述第二晶体管的栅电极的另一个电极、和被电连接到所述第 一晶体管的栅电极的栅电极。

4.根据权利要求1到3中任一项所述的器件，其中，所述含硅 膜为包含非晶硅的膜、包含微晶硅的膜、或者包含多晶硅的膜。

5.根据权利要求1到3中任一项所述的器件，其中，所述第二 导电层的功函数小于所述第一导电层的功函数。

6.根据权利要求1到3中任一项所述的器件，其中，所述第一 导电层和所述第二导电层均包含从Ti、W、Ni、Cr、Mo、Ta、Co、 Zr、V、Pd、Hf、Pt、和Fe中选出的元素。

7.根据权利要求1到3中任一项所述的器件，其中，所述半导 体器件为无线芯片并且还包含天线。

8.一种用于驱动包括存储器件的半导体器件的方法，所述存储 器件包括在第一导电层和包含与所述第一导电层不同的材料的第二 导电层之间形成了含硅膜的存储元件，所述方法包含以下步骤：

为了将数据写入所述存储元件，通过向所述第一导电层施加第一 电压值并向所述第二导电层施加第二电压值来将所述含硅膜硅化，其 中所述第一电压值高于所述第二电压值，以及

为了读出在所述存储元件中写入的数据，向所述第二导电层施加 第三电压值并向所述第一导电层施加第四电压值，其中所述第三电压 值高于所述第四电压值。

9.根据权利要求8所述的方法，所述存储器件还包含：第一晶 体管，具有被电连接到所述第一导电层的一个电极；以及第二晶体管， 具有被电连接到所述第一导电层的一个电极、被接地的另一个电极、 和被连接到所述第二导电层的栅电极，所述方法还包含以下步骤：

为了将数据写入所述存储元件，向所述第一晶体管的栅电极施加 所述第一电压值以开启所述第一晶体管；

向所述第二晶体管的栅电极施加所述第二电压值以关断所述第 二晶体管；

向所述第一晶体管的另一个电极施加所述第一电压值；

向所述第一导电层施加所述第一电压值；以及

向所述第二导电层施加所述第二电压值；以及

当读出在所述存储元件中写入的数据时，向所述第一晶体管的栅 电极施加所述第三电压值以开启所述第一晶体管；

向所述第二晶体管的栅电极施加所述第三电压值以开启所述第 二晶体管；以及

从所述第一晶体管的所述另一个电极读出所述第一导电层的电 势。