[发明专利]适于形成半导体结型二极管器件的半导体晶片及其形成方法

权利要求书

1.一种制作半导体晶片的方法，所述半导体晶片用于具有目标正向电压降和目标反向击穿电压的半导体结型二极管器件，所述方法包括：

提供第一传导类型的半导体衬底，所述衬底具有前表面和背表面；

第一掺杂步骤，所述第一掺杂步骤用所述第一传导类型的第一掺杂剂通过所述背表面来掺杂所述衬底，所述第一掺杂剂的量足以形成具有目标正向电压降的半导体结型二极管器件，其中通过所述第一掺杂步骤形成的第一扩散层具有带有第一掺杂剂分布的掺杂剂浓度，所述第一掺杂剂分布为常数或者随着通过所述衬底背表面的深度的增加而减小；以及

第二掺杂步骤，所述第二掺杂步骤用所述第一传导类型的第二掺杂剂通过所述前表面来掺杂所述衬底，所述第二掺杂剂的量足以形成具有目标反向击穿电压的半导体结型二极管器件，其中通过所述第二掺杂步骤形成的第二扩散层具有带有第二掺杂剂分布的掺杂剂浓度，所述第二掺杂剂分布为常数或者随着通过所述衬底前表面的深度的增加而减小。

2.如权利要求1所述的方法，其中，

所述第一和第二掺杂步骤中的至少一个包括：注入所述第一掺杂剂以及扩散所述第一掺杂剂。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述半导体衬底是非EPI衬底。

4.如权利要求3所述的方法，其中，所述半导体衬底是Si衬底。

5.如权利要求3所述的方法，其中，所述非EPI衬底具有大于20欧姆/平方的电阻率。

6.如权利要求1所述的方法，其中，通过所述背表面掺杂所述衬底的所述第一掺杂步骤形成第一扩散层，所述第一扩散层的厚度大于由通过所述前表面掺杂所述衬底的所述第二掺杂步骤所形成的第二扩散层的厚度。

7.如权利要求6所述的方法，其中，所述第一扩散层的厚度在200-250微米之间。

8.如权利要求1所述的方法，其中，所述衬底具有在200-250微米之间的厚度。

9.如权利要求6所述的方法，其中，所述衬底具有在200-250微米之间的厚度。

10.如权利要求9所述的方法，其中，所述第二扩散层具有小于50微米的厚度。

11.如权利要求1所述的方法，其中，分别通过前表面和背表面掺杂所述衬底的所述第二和第一掺杂步骤分别形成第一扩散层和第二扩散层，其中所述第二扩散层具有大于所述第一扩散层的最大传导率的最大传导率。

12.一种半导体晶片，包括：

具有前表面和背表面的第一传导类型的半导体衬底；

所述第一传导类型的第一扩散层，所述第一扩散层形成在所述衬底中并且具有带有第一掺杂剂分布的掺杂剂浓度，所述第一掺杂剂分布为常数或者随着通过所述衬底背表面的深度的增加而减小；

所述第一传导类型的第二扩散层，所述第二扩散层形成在所述衬底中并且具有带有第二掺杂剂分布的掺杂剂浓度，所述第二掺杂剂分布为常数或者随着通过所述衬底前表面的深度的增加而减小。

13.如权利要求12所述的半导体晶片，其中，所述半导体衬底是非EPI衬底。

14.如权利要求13所述的半导体晶片，其中，所述半导体衬底是Si衬底。

15.如权利要求13所述的半导体晶片，其中，所述非EPI衬底具有大于20欧姆/平方的电阻率。

16.如权利要求12所述的半导体晶片，其中，所述第一扩散层的厚度大于所述第二扩散层的厚度。

17.如权利要求16所述的半导体晶片，其中，所述第一扩散层的厚度在200-250微米之间。

18.如权利要求12所述的半导体晶片，其中，所述半导体衬底具有在200-250微米之间的厚度。

19.如权利要求17所述的半导体晶片，其中，所述第二扩散层具有小于50微米的厚度。

20.如权利要求12所述的半导体晶片，其中，所述第二扩散层具有大于所述第一扩散层的最大传导率的最大传导率。