[发明专利]具有共掺杂增益介质的光学泵浦固态激光器

权利要求书

1.固态激光器，包括固态基质材料的增益介质(6)，所述增益介质共掺杂有Ce³⁺-离子和另外的稀土材料的离子，所述基质材料被选择成使得所述Ce³⁺-离子的5d能带的下边缘在能量上高于所述另外的稀土材料的离子的上激光发射态。

2.根据权利要求1的固态激光器，其中所述另外的稀土材料的离子是Tb³⁺-离子。

3.根据权利要求2的固态激光器，其中所述基质材料被选择成使得所述Ce³⁺-离子的5d能带的下边缘在能量上高于所述Tb³⁺-离子的⁵D₄态并且使得所述基质材料的能隙＞6eV。

4.根据权利要求1或2的固态激光器，其中所述基质材料选自下列材料之一：Y_3-xLu_xAl_5-yGa_yO₁₂(x＝1，2，3；y＝1，2，3，4，5)，Y_3-xCa_xAl_5-xSi_xO₁₂，Y_3-xAl_5-xSc_xO₁₂，M₂O₃(其中M＝Sc，Y，Lu，Gd，La)，CaYAlO₄和M₂SiO₅(其中M＝Y，Lu，Gd或这些的组合)。

5.根据权利要求4的固态激光器，其中所述基质材料的Ce³⁺-离子的掺杂浓度处于0.01％重量到5％重量的范围中而Tb³⁺-离子的掺杂浓度是Ce³⁺-离子的掺杂浓度的0.5倍到50倍之间。

6.根据权利要求1的固态激光器，其中所述另外的稀土材料的离子选自Pr³⁺-、Sm³⁺-、Eu³⁺-、Dy³⁺-和Tm³⁺-离子。

7.固态激光器系统，具有根据权利要求1的固态激光器和至少一个GaN激光二极管(4)，所述GaN激光二极管被布置成对所述固态激光器的增益介质(6)进行光学泵浦。

8.固态激光器系统，具有根据权利要求4的固态激光器和至少一个GaN激光二极管(4)，所述GaN激光二极管被布置成对所述固态激光器的增益介质(6)进行光学泵浦。