[发明专利]用于提供纳米级、高度选择性和热弹性碳蚀刻终止的系统和方法无效
| 申请号： | 200780039659.6 | 申请日： | 2007-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN101529569A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 达尔文·G·恩尼克斯 | 申请（专利权）人： | 爱特梅尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孟 锐 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 提供 纳米 高度 选择性 弹性 蚀刻 终止 系统 方法 | ||
1.一种蚀刻终止层，其包含：
硅锗层，其具有约50∶1或小于50∶1的硅锗比；
硼层，其形成在所述硅锗层内，所述硼层具有小于50纳米的半高全宽(FWHM)厚度值；以及
碳层，其形成在所述硅锗层内，所述碳层具有小于50纳米的FWHM厚度值，所述蚀刻终止层具有在约0.5到1.5的范围内的硼碳比。
2.根据权利要求1所述的蚀刻终止层，其中所述硅锗层包含在硅锗衬底内。
3.根据权利要求1所述的蚀刻终止层，其中所述硅锗层包含在硅锗膜层内。
4.根据权利要求1所述的蚀刻终止层，其中所述硅锗比在50∶1到4∶1的范围内。
5.根据权利要求1所述的蚀刻终止层，其中当测量为FWHM值时，所述硼层的厚度小于约20纳米。
6.根据权利要求1所述的蚀刻终止层，其中当测量为FWHM值时，所述碳层的厚度小于约20纳米。
7.一种制造蚀刻终止的方法，所述方法包含：
在沉积腔室中使载气流过衬底；
在所述沉积腔室中使硅前驱气体流过所述衬底；
使锗前驱气体流过所述衬底；
形成硅锗层，使得硅锗比在4∶1到50∶1的范围内；
在所述沉积腔室中使碳前驱气体流过所述衬底，所述碳前驱气体形成碳层以充当所述蚀刻终止的一部分，当测量为半高全宽(FWHM)值时，所述碳层的厚度小于50纳米；以及
在所述沉积腔室中使硼前驱气体流过所述衬底，所述硼前驱气体形成硼层以充当所述蚀刻终止的一部分，当测量为FWHM值时，所述硼层的厚度小于50纳米。
8.根据权利要求7所述的方法，其中将所述硼层形成为当测量为FWHM值时厚度小于约20纳米。
9.根据权利要求7所述的方法，其中将所述碳层形成为当测量为FWHM值时厚度小于约20纳米。
10.根据权利要求7所述的方法，其中使所述硼前驱气体和碳前驱气体流动以使得硼碳比在约0.5到1.5的范围内。
11.一种蚀刻终止层，其包含：
硅锗层，其具有在4∶1到50∶1范围内的硅锗比；
硼层，其形成在所述硅锗层内，所述硼层具有小于20纳米的半高全宽(FWHM)厚度值；以及
碳层，其形成在所述硅锗层内，所述碳层具有小于20纳米的FWHM厚度值，所述蚀刻终止层具有在约0.5到1.5的范围内的硼碳比。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
