[发明专利]新型含有V族金属的前体及其对含有金属的膜的沉积的应用

权利要求书

1.至少一种通式(Ia)或通式(Ib)的化合物的用途，作为金属前体，用于 向基材上沉积含有V族金属的膜的方法中，

所述方法包括如下步骤：

-将基材放入反应器，

-优选将基材加热至高于150℃，

-将通式(Ia)或(Ib)的化合物或所述化合物的混合物以蒸气相供入反应器，

-任选地将通式(Ia)或(Ib)的第二化合物或所述化合物的第二混合物以蒸 气相供料入反应器，

-在所述基材上沉积含有至少一种上述通式(Ia)或(Ib)的化合物的膜；

在通式(Ia)和(Ib)中，M为选自钽、铌和钒的V族金属，

R₁，R₂，R₃，R₄，R₅，R₆和R₇可为相同或不同，独立选自氢原子、具有 1-4个碳原子的直链或支化的烷基；

R’₁，R’₂，R’₃和R’₄可为相同或不同，独立选自氢原子、具有1-4个碳原 子的直链或支化的烷基；或者，R’₁，R’₂可为相同或不同，独立选自氢原 子、具有1-4个碳原子的直链或支化的烷基；并且R’₃和R’₄一起代表氧基 ＝O或者具有1-4个碳原子的烷基亚氨基＝N-R。

2.根据权利要求1的至少一种通式(Ia)或通式(Ib)的化合物的用途，用 于含金属的膜的沉积中，其中R₂，R₃，R₄和R₅每一个均代表氢原子。

3.根据权利要求1的至少一种通式(Ia)或通式(Ib)的化合物的用途，用 于含金属的膜的沉积中，其中R₂，R₃，R₄，R₅，R₆和R₇每一个均代表氢 原子。

4.根据权利要求1-3中任一项的至少一种通式(Ia)或通式(Ib)的化合物 的用途，用于含金属的膜的沉积中，其中R₁选自乙基、异丙基或叔丁基。

5.根据权利要求1-3中任一项的至少一种通式(Ia)或通式(Ib)的化合物 的用途，用于含金属的膜的沉积中，其中R’₁，R’₂，R’₃，和R’₄每一个均 代表甲基。

6.根据权利要求4的至少一种通式(Ia)或通式(Ib)的化合物的用途，用 于含金属的膜的沉积中，其中R’₁，R’₂，R’₃，和R’₄每一个均代表甲基。

7.下述化合物：

(异丙基-环戊二烯基)四甲基钽；(1，5-二异丙基-戊二烯基)四甲基钽；(1，3- 二-叔丁基-环戊二烯基)四甲基钽；(乙基-环戊二烯基)四甲基钽，(异丙基- 环戊二烯基)四甲基钒；(异丙基-环戊二烯基)四甲基铌；(1，3-二-叔丁基-环 戊二烯基)四甲基铌。

8.一种向基材上沉积含有V族金属的膜的方法，包括如下步骤：

-将基材放入反应器，

-优选将基材加热至高于150℃，

-将根据权利要求1-6中任一项的通式(Ia)或通式(Ib)的化合物或根据权利 要求7的化合物或所述化合物的混合物以蒸气相供料入反应器，

-任选地将根据权利要求1-6中任一项的通式(Ia)或通式(Ib)的第二化合物 或根据权利要求7的化合物或所述化合物的第二混合物以蒸气相供入反 应器，

-在所述基材上沉积至少一种根据权利要求1-6中任一项的通式(Ia)或通 式(Ib)的化合物或根据权利要求7的化合物的膜。