[发明专利]一种具有塑料衬底的电子器件

权利要求书

1.一种制造薄膜电子器件的方法，所述方法包括：

使用湿法铸造工艺将塑料涂层(22)施加到刚性载体衬底(12) 上，所述塑料涂层(22)形成塑料衬底，并且包括透明塑料材料，所 述透明塑料材料具有的热膨胀系数在垂直于所述刚性载体衬底平面的 第一方向上是在平行于所述刚性载体衬底平面的第二方向上的至少三 倍；

在所述塑料衬底(22)上形成薄膜电子元件(30，32，34，36，40) ；和

通过加热工艺从所述塑料衬底释放所述刚性载体衬底(12)，所 述加热工艺在垂直于所述刚性载体衬底平面的方向上使所述塑料衬底 膨胀。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述塑料材料在基本垂直于 所述刚性载体衬底(12)的方向上具有最大热膨胀系数。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述塑料材料在基本平 行于所述刚性载体衬底(12)的方向上具有最小热膨胀系数。

4.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述塑料材料在垂直于 所述刚性载体衬底(12)的方向上的热膨胀系数是在平行于所述刚性 载体衬底(12)的方向上的热膨胀系数的至少5倍。

5.如权利要求4所述的方法，其中，所述塑料材料在垂直于所述 刚性载体衬底(12)的方向上的热膨胀系数是在平行于所述刚性载体 衬底的方向上的热膨胀系数的至少10倍。

6.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述塑料材料在平行于 所述刚性载体衬底(12)的方向上的热膨胀系数小于30·10^-6/℃。

7.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述塑料材料包括聚酰 亚胺。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述塑料材料包括聚对亚苯 基联苯四甲酸酰亚胺。

9.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述释放是通过从所述 刚性载体衬底热分层所述塑料衬底。

10.如权利要求9所述的方法，其中，所述热分层通过暴露到紫 外激光来进行。

11.如权利要求10所述的方法，其中，所述紫外激光具有大于 200nm的波长。

12.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述刚性载体衬底(12 )包括玻璃衬底。

13.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述湿法铸造工艺包括 旋转式工艺。

14.如权利要求1或2所述的方法，用于制造有源矩阵显示器件， 其中：

在所述塑料衬底(22)上形成薄膜电子元件(30，32，34，36，40) 包括在所述塑料衬底上形成像素电路的阵列；

并且其中所述方法还包括在从所述塑料衬底释放所述刚性载体 衬底之前在所述像素电路阵列上形成显示层(100)。

15.如权利要求14所述的方法，还包括制造与第一衬底构造不同 的第二衬底构造，所述第一衬底构造包括所述刚性载体衬底和所述塑 料衬底，并且在所述像素电路阵列上形成显示层之后，安装所述第一 和第二衬底构造，使电光材料夹于其间，所述有源矩阵显示器件因此 包括其间夹有电光材料的所述第一和第二衬底构造。

16.一种薄膜电子器件，包括：

塑料衬底(22)，其包括透明塑料材料，所述塑料衬底具有在垂 直于所述塑料衬底平面的方向上是在平行于所述塑料衬底平面的方向 上至少3倍的热膨胀系数；和

在所述塑料衬底上的薄膜电子元件。

17.如权利要求16所述的薄膜电子器件，其中所述塑料衬底(22 )在基本垂直于所述衬底平面的方向上具有最大热膨胀系数。

18.如权利要求16或17所述的薄膜电子器件，其中所述塑料衬底 在垂直于所述衬底平面的方向上的热膨胀系数是在平行于所述衬底平 面的方向上的热膨胀系数的至少5倍。