[发明专利]高电介质膜的形成方法和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种高电介质膜的形成方法，其特征在于，包括：

在基板上使用有机金属原料以350℃以下的温度通过ALD或CVD形成高电介质膜的工序；和

在低压的含氧气氛中向所述高电介质膜照射紫外线，使膜中的氢脱离的工序。

2.根据权利要求1所述的高电介质膜的形成方法，其特征在于：

所述高电介质膜是Hf或Zr的氧化物或硅酸盐。

3.根据权利要求2所述的高电介质膜的形成方法，其特征在于：

所述有机金属原料是酰胺类金属化合物。

4.根据权利要求1所述的高电介质膜的形成方法，其特征在于：

在形成高电介质膜时，使用H₂O作为氧化剂。

5.根据权利要求1所述的高电介质膜的形成方法，其特征在于：

所述紫外线的照射在0.665～665Pa的压力下进行。

6.一种高电介质膜的形成方法，其特征在于：

所述紫外线的照射在将基板加热至500℃以下的温度的状态下进行。

7.根据权利要求1所述的高电介质膜的形成方法，其特征在于：

所述紫外线的照射在O₂气体气氛中进行。

8.根据权利要求1所述的高电介质膜的形成方法，其特征在于：

所述紫外线的照射使用波长为172nm的紫外线进行。

9.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具有高电介质膜作为栅极绝缘膜或电容器膜，该半导体装置的制造方法的特征在于：

所述高电介质膜通过包括下述工序的方法形成：

在基板上使用有机金属原料以350℃以下的温度通过ALD或CVD形成高电介质膜的工序；和

在低压的含氧气氛中向所述高电介质膜照射紫外线，使膜中的氢脱离的工序。

10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述高电介质膜是Hf或Zr的氧化物或硅酸盐。

11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述有机金属原料是酰胺类金属化合物。

12.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

形成所述高电介质膜时，使用H₂O作为氧化剂。

13.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述紫外线的照射在0.665～665Pa的压力下进行。

14.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述紫外线的照射在将基板加热至500℃以下的温度的状态下进行。

15.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述紫外线的照射在O₂气体气氛中进行。

16.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述紫外线的照射使用波长为172nm的紫外线进行。

17.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

在半导体基板上使用有机金属原料以350℃以下的温度通过ALD或CVD形成高电介质膜作为栅极绝缘膜的工序；

在低压的含氧气氛中向所述高电介质膜照射紫外线，使膜中的氢脱离的工序；和

在所述高电介质膜之上形成栅极电极的工序。

18.根据权利要求17所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述高电介质膜是Hf或Zr的氧化物或硅酸盐。

19.根据权利要求18所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述有机金属原料是酰胺类金属化合物。

20.根据权利要求17所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

形成所述高电介质膜时，使用H₂O作为氧化剂。

21.根据权利要求17所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述紫外线的照射在0.665～665Pa的压力下进行。