[发明专利]硅回收装置和回收硅的方法无效
申请号: | 200780040278.X | 申请日: | 2007-10-15 |
公开(公告)号: | CN101528597A | 公开(公告)日: | 2009-09-09 |
发明(设计)人: | 梶本公彦;北条义之 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | C01B33/037 | 分类号: | C01B33/037;B03C1/00;B07B9/00;C02F11/12 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 封新琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 回收 装置 方法 | ||
1.一种硅回收装置,其包括如下部分:
固液分离部分,其用于通过对废浆料或所述废浆料的浓缩物进行固液分离而获得含硅屑的硅回收用固态物质,其中所述废浆料为浆料与硅屑的混合物,所述硅屑通过使用含研磨剂颗粒和冷却剂的所述浆料切割或抛光硅块或硅晶片而获得;
洗涤部分,在该部分中,使用有机溶剂洗涤所述硅回收用固态物质;和
分级部分,在该部分中,对来自所述洗涤部分的硅回收用固态物质进行分级以获得比分级前研磨剂颗粒含量更低且硅含量更高的含硅粉末,
其中,设置所述固液分离部分、洗涤部分和分级部分,以使得所述硅回收用固态物质或所述含硅粉末不与水、酸性水溶液或者主要由水和所述酸性水溶液中的至少一种组成的溶液接触。
2.权利要求1的硅回收装置,其中所述废浆料含有在切割或抛光硅块或硅晶片期间混入的金属屑,并且在所述分级部分中除去比分级前金属含量高的含金属粉末。
3.权利要求1的硅回收装置,其中所述废浆料含有在切割或抛光硅块或硅晶片期间混入的强磁性金属屑,并且所述硅回收装置还包括使用磁场除去所述金属屑的金属屑除去部分。
4.权利要求1的硅回收装置,还包括其中对所述含硅粉末加压以造粒的成型部分。
5.权利要求4的硅回收装置,还包括加热部分,在所述加热部分中,在低于硅熔点的温度下对在造粒前或造粒后的含硅粉末进行烧结并然后使其在硅熔点或更高的温度下熔融。
6.权利要求5的硅回收装置,其中所述硅回收装置还包括除去通过使所述含硅粉末熔融而获得的含硅熔体中所含杂质的纯化部分。
7.一种回收硅的方法,其包括:
固液分离步骤,其中通过对废浆料或所述废浆料的浓缩物进行固液分离而获得含硅屑的硅回收用固态物质,其中所述废浆料为浆料与硅屑的混合物,所述硅屑通过使用含研磨剂颗粒和冷却剂的所述浆料切割或抛光硅块或硅晶片而获得;
洗涤步骤,其中使用有机溶剂洗涤所述硅回收用固态物质;和
分级步骤,其中对来自所述洗涤步骤的硅回收用固态物质进行分级以获得比分级前研磨剂颗粒含量更低且硅含量更高的含硅粉末,
其中,进行所述固液分离步骤、洗涤步骤和分级步骤,以使得所述硅回收用固态物质或含硅粉末不与水、酸性水溶液或主要由水和所述酸性水溶液中的至少一种组成的溶液接触。
8.权利要求7的硅回收方法,其中所述废浆料含有在切割或抛光硅块或硅晶片期间混入的金属屑,并且在所述分级步骤中除去比分级前金属含量高的含金属粉末。
9.权利要求7的硅回收方法,其中所述废浆料含有在切割或抛光硅块或硅晶片期间混入的强磁性金属屑,并且所述回收硅的方法还包括使用磁场除去所述金属屑的金属屑除去步骤。
10.权利要求7的硅回收方法,还包括对所述含硅粉末加压以造粒的成型步骤。
11.权利要求10的硅回收方法,还包括加热步骤,在所述加热步骤中,在低于硅熔点的温度下对在造粒前或造粒后的含硅粉末进行烧结并然后使其在硅熔点或更高的温度下熔融。
12.权利要求11的硅回收方法,还包括除去通过使所述含硅粉末熔融而获得的含硅熔体中所含杂质的纯化步骤。
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