[发明专利]电路连接结构体无效
| 申请号： | 200780040366.X | 申请日： | 2007-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN101529574A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 小岛和良;小林宏治;有福征宏;望月日臣 | 申请（专利权）人： | 日立化成工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01B1/00;H01B1/22;H01B5/16;H05K1/14 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟 晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电路 连接 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种电路连接结构体，其特征在于，具有在第一电路基板的主面上形成有第一电路电极的第一电路部件、和与所述第一电路部件相对配置的在第二电路基板的主面上形成有第二电路电极的第二电路部件、和在所述第一电路部件的主面和所述第二电路部件的主面之间设置的电连接所述第一及第二电路电极的电路连接部件，在所述电路连接结构体中，
所述第一及第二电路电极的厚度为50nm以上，所述电路连接部件是将含有粘接剂组合物和在表面侧具有多个突起部的导电粒子的电路连接部件进行固化处理得到的，所述导电粒子的最外层为镍或镍合金。
2.根据权利要求1所述的电路连接结构体，其特征在于，所述第一或第二电路电极的任一个的至少最外层含有铟-锡氧化物。
3.根据权利要求1所述的电路连接结构体，其特征在于，所述第一或第二电路电极的任一个的至少最外层含有铟-锌氧化物。
4.根据权利要求1～3的任一项所述的电路连接结构体，其特征在于，所述导电粒子的所述突起部的高度为50～500nm，邻接的所述突起部间的距离为1000nm以下。
5.一种电路连接材料，其是用于将相对的电路电极彼此进行电连接的电路连接材料，其特征在于，含有粘接剂组合物和在表面侧具有多个突起部的导电粒子，所述导电粒子的最外层为镍或镍合金。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
