[发明专利]用于蚀刻透明和导电氧化物层的可印刷介质

权利要求书

1.蚀刻糊剂形式的用于蚀刻透明和导电氧化物表面和层的可印 刷、可分配的蚀刻介质，其包含：

a)磷酸，

b)至少一种溶剂，

c)相对颗粒直径为20nm-80nm和BET比表面积为40-100m²/g的 石墨和/或炭黑，所述相对颗粒直径按照说明书第8页第13行至第9 页第10行中的记载来测定，

d)任选的增稠剂，和

e)任选的添加剂。

2.权利要求1的蚀刻介质，其特征在于，其中所述添加剂是消泡 剂、触变剂、流动控制剂和粘合促进剂。

3.权利要求1的蚀刻介质，其特征在于，其中所述添加剂是脱气 剂。

4.权利要求1的蚀刻介质，其包含相对颗粒直径从20nm至小于 50nm和BET比表面积为50-70m²/g的石墨或炭黑粉末。

5.权利要求1的蚀刻介质，其包含相对颗粒直径为30nm-45nm 的石墨或炭黑粉末。

6.权利要求1的蚀刻介质，其包含相对颗粒直径为40nm和BET 比表面积为62m²/g的炭黑粉末。

7.权利要求1-6的任一项的蚀刻介质，其以少于8wt％但超过 0.5wt％的量包含石墨或炭黑粉末。

8.权利要求1-6的任一项的蚀刻介质，其以3-7wt％的量包含石 墨或炭黑粉末而且粘度为25-35Pa·s。

9.权利要求1-8的任一项的蚀刻介质用于在半导体制造期间蚀 刻透明、导电氧化物层的用途。

10.权利要求1-8的任一项的蚀刻介质用于在120-170℃的温度 下蚀刻ITO的用途。