[发明专利]具有电磁干扰滤波器的垂直瞬态电压抑制器（TVS）的电路结构及制造方法

权利要求书

1.一种垂直瞬态电压抑制器，其特征在于，包括：

一衬底，其包含延伸至所述衬底的底部表面的一重掺杂层，其中 所述重掺杂层具有第一导电类型；

一被支撑在所述的重掺杂层顶部的具有第一导电类型的外延层， 所述的外延层具有一顶部表面，而所述的重掺杂层具有一底部表面；

设置于所述外延层的顶部区域的具有与所述第一导电类型相反的 第二导电类型的本体区域，该本体区域与所述的外延层形成一PN结；

一具有第一导电类型的一顶部半导体区域，其掺杂浓度大于所述 的本体区域的掺杂浓度，该顶部半导体区域位于所述的本体区域的顶 部，并具有与所述外延层的顶部表面同一平面的顶部表面；

一沟槽，其开设于所述的外延层中，贯穿所述的顶部半导体区域 及所述的本体区域；所述沟槽具有利用一绝缘层确定的一侧壁及一底 部；该沟槽还填充有导电材料形成栅极；所述栅极与一栅极引道连接， 所述栅极引道通过与所述外延层连接的一栅极金属短接到所述重掺杂 层。

2.如权利要求1所述的垂直瞬态电压抑制器，其特征在于，其中，所述 的本体区域包括一与所述的外延层顶部表面位于同一平面的顶部表 面。

3.如权利要求1所述的垂直瞬态电压抑制器，其特征在于，其中，所述 的沟槽开设贯穿所述的外延层并进入所述的重掺杂衬底。

4.如权利要求1所述的垂直瞬态电压抑制器，其特征在于，其中，所述 的第一导电类型是N型，所述的第二导电类型是P型。

5.如权利要求1所述的垂直瞬态电压抑制器，其特征在于，其中，所述 的第一导电类型是P型，所述的第二导电类型是N型，而所述的本体 区域通过一金属电极短接到所述的顶部半导体区域。