[发明专利]提供纳米级、高度选择性和热弹性硅、锗或硅-锗蚀刻终止层的系统和方法

权利要求书

1.一种蚀刻终止层，其包含：

硅层，其含有选自由锗、硼和碳组成的群组的一种或一种以上掺杂剂元素；

掺杂剂层，其在所述硅层内，所述掺杂剂层具有所述掺杂剂元素中的一种或一种以上且具有小于50纳米的半高全宽(FWHM)厚度值。

2.根据权利要求1所述的蚀刻终止层，其中所述硅层含有小于约70％的锗。

3.根据权利要求1所述的蚀刻终止层，其中所述硅层含有小于约5×10²¹个原子/立方厘米的硼。

4.根据权利要求1所述的蚀刻终止层，其中所述硅层含有小于约5×10²¹个原子/立方厘米的碳。

5.根据权利要求1所述的蚀刻终止层，其中所述硅层包含在硅衬底内。

6.根据权利要求1所述的蚀刻终止层，其中所述硅层为硅膜层。

7.根据权利要求1所述的蚀刻终止层，其中所述一种或一种以上掺杂剂元素具有三角形分布曲线。

8.根据权利要求1所述的蚀刻终止层，其中所述一种或一种以上掺杂剂元素具有梯形分布曲线。

9.根据权利要求1所述的蚀刻终止层，其中所述一种或一种以上掺杂剂元素具有椭圆形分布曲线。

10.根据权利要求1所述的蚀刻终止层，其中所述一种或一种以上掺杂剂元素具有半圆形分布曲线。

11.根据权利要求1所述的蚀刻终止层，其中所述一种或一种以上掺杂剂元素具有抛物线分布曲线。

12.根据权利要求1所述的蚀刻终止层，其中所述一种或一种以上掺杂剂元素具有箱形分布曲线。

13.根据权利要求1所述的蚀刻终止层，其中所述掺杂剂层的FWHM测量值小于20纳米。

14.根据权利要求1所述的蚀刻终止层，其进一步包含非晶化植入物，所述非晶化植入物选自由硼、锗、硅、氩、氮、氧和碳组成的群组。

15.根据权利要求1所述的蚀刻终止层，其进一步包含添加非晶化植入物，所述非晶化植入物选自由第III族和第V族半导体组成的群组。

16.根据权利要求1所述的蚀刻终止层，其进一步包含非晶化植入物，所述非晶化植入物选自由第II族和第VI族半导体组成的群组。

17.一种蚀刻终止层，其包含：

硅-锗层，所述硅-锗层包含小于约70％的锗且含有选自由硼和碳组成的群组的一种或一种以上掺杂剂元素；

掺杂剂层，其在所述硅-锗层内，所述掺杂剂层具有所述掺杂剂元素中的一种或一种以上且具有小于50纳米的半高全宽(FWHM)厚度值。

18.根据权利要求17所述的蚀刻终止层，其中所述硅-锗层含有小于约5×10²¹个原子/立方厘米的硼。

19.根据权利要求17所述的蚀刻终止层，其中所述硅-锗层含有小于约5×10²¹个原子/立方厘米的碳。

20.根据权利要求17所述的蚀刻终止层，其中所述硅-锗层包含在硅-锗衬底中。

21.根据权利要求17所述的蚀刻终止层，其中所述硅-锗层为硅-锗膜层。

22.根据权利要求17所述的蚀刻终止层，其中所述掺杂剂层的FWHM测量值小于20纳米。

23.根据权利要求17所述的蚀刻终止层，其进一步包含非晶化植入物，所述非晶化植入物选自由硼、锗、硅、氩、氮、氧和碳组成的群组。

24.根据权利要求17所述的蚀刻终止层，其进一步包含添加非晶化植入物，所述非晶化植入物选自由第III族和第V族半导体组成的群组。

25.根据权利要求17所述的蚀刻终止层，其进一步包含非晶化植入物，所述非晶化植入物选自由第II族和第VI族半导体组成的群组。