[发明专利]环状硅氧烷化合物、有机电致发光元件及其用途有效
申请号: | 200780040661.5 | 申请日: | 2007-10-31 |
公开(公告)号: | CN101535319A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
发明(设计)人: | 五十岚威史 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | C07F7/21 | 分类号: | C07F7/21;C07F15/00;C07F19/00;C07F5/02;C09K11/06;H01L51/50 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 段承恩;田 欣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 环状 硅氧烷 化合物 有机 电致发光 元件 及其 用途 | ||
技术领域
本发明涉及环状硅氧烷化合物,更详细地说,涉及具有磷光发光性部位的环状硅氧烷化合物、使用了该环状硅氧烷化合物的有机电致发光元件及其用途。
背景技术
自从在1987年柯达公司的C.W.Tang等人揭示了有机电致发光元件(本说明书中,有时称作有机EL元件)(Appl.Phys.Lett.,51卷,913页,1987年)以来,有机EL元件的材料开发、元件结构的改良急速进展,最近以汽车音响、便携电话用的显示器等为首,有机EL元件开始实用化。为了进一步扩大有机EL(电致发光)的用途,提高发光效率、提高耐久性,现在活跃进行了材料开发、全色彩显示的开发等。特别考虑到向中型面板、大型面板、或照明用途的展开,需要确立通过提高发光效率来实现的更高亮度化和适合大面积化的量产方法。
下面,关于面板的量产方法,目前一直使用将低分子化合物在真空下进行气化,在基板上形成薄膜的真空蒸镀法。但是,该方法具有下述问题:需要真空设备,面积越大,越难将有机薄膜成膜为均一的厚度等,不能说一定适合大面积面板的量产。
与此相对,作为容易大面积化的方法,开发了使用高分子系发光材料的制造方法、即喷墨法、印刷法。特别是印刷法可以连续形成长膜,大面积化和量产性优异。
近年、为了扩大有机EL元件的用途,活跃进行了使用具有高发光效率的磷光发光性化合物的材料开发(例如、特表2003-526876号公报(专利文献1)、特开2001-247859号公报(专利文献2)等)。
另外,在特开2005-314689号公报(专利文献3)中,作为发光性的高分子络合物化合物,公开了具有硅氧烷化合物由来的结构的化合物。
专利文献1:特表2003-526876号公报
专利文献2:特开2001-247859号公报
专利文献3:特开2005-314689号公报
发明内容
一般来说,为了以高发光效率使有机EL元件发光,需要提高发光层中使用的有机化合物的纯度,这是公知的。
但是,专利文献3所述的高分子络合物化合物虽然能够利于喷墨法、印刷法进行大面积涂布,但是高分子化合物的精制手段限于再沈淀精制等,因此化合物的纯度不充分,在用作有机EL元件的发光层的材料的情况下,从发光效率等的发光特性的观点出发,存在不利的问题。即,作为通常的高分子化合物的精制方法,经常使用将在少量的良溶剂中溶解有高分子化合物的溶液加入大量的不良溶剂中,使高分子化合物沉淀的方法即再沈淀法,但是很难除去在溶剂中的溶解性与目标高分子化合物接近的杂质。另外,作为低分子化合物的简便的精制方法,近年来经常使用柱色谱法,在使用作为柱色谱的一般的填充材料的硅胶、氧化铝来精制高分子化合物的情况下,高分子化合物强力吸附于填充材料,不能进行精制。
本发明是鉴于上述问题点而进行的,是适合作为有机EL元件的发光层的材料的,并且能够大面积的涂布,并且能够用简便的精制方法提高纯度的具有硅氧烷化合物由来的结构的新的化合物、和在发光层中使用了该化合物的有机EL元件、及其用途。
本发明者们进行深入研究,结果发现,具有环状硅氧烷骨架的化合物与目前的具有硅氧烷骨架的非环状(链状)高分子化合物比较,容易精制,能够提高纯度,如果用作有机EL元件的发光层的材料,可以获得高发光效率,从而完成了本发明。
本发明大致如下。
一种下述式(1)所示的环状硅氧烷化合物,
〔式(1)中,R1和R2分别独立地为发光性的一价基团、电荷输送性的一价基团或其它取代基,R1和R2的至少一方为该电荷输送性的一价基团或该发光性的一价基团,n为2~100的整数〕。
根据上述[1]所述的环状硅氧烷化合物,其特征在于,上述电荷输送性的一价基团是电荷输送性化合物的1个氢原子被连接基X取代而成的基团,通过该连接基X,与上述式(1)中的Si原子结合。
根据上述[1]或[2]所述的环状硅氧烷化合物,其特征在于,上述发光性的一价基团是发光性化合物的一个氢原子被连接基X取代而成的基团,通过该连接基X,与上述式(1)中的Si原子结合。
根据上述[2]或[3]所述的环状硅氧烷化合物,其特征在于,上述连接基X是单键。
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