[发明专利]通过从等离子体沉积形成膜的方法和设备

权利要求书

1.一种从等离子体在衬底上沉积膜的设备的用途，该设备包含罩 壳，设置在该罩壳内的多个等离子体发生器单元以及同样在该罩壳内 的用于支撑衬底的装置，每个等离子体发生器单元包含具有从其发射 微波的末端的微波天线，设置在所述天线末端的区域中而且与其一起 限定出电子回旋共振区域的磁体，在该电子回旋共振区域中可以通过 分布式电子回旋共振生成等离子体，以及至少一个具有膜前体气体或 等离子体气体出口的进气单元，该出口使气体朝向从微波天线来看位 于磁体之外的膜沉积区域，该出口位于最靠近膜沉积区域的磁体的末 端之上，并且因此位于热电子约束包络体之中或之上，所述热电子约 束包络体是指其中捕集热一次电子的区域；

其中该用途包括使用硅前体作为膜前体气体来形成无定形硅膜。

2.权利要求1的用途，其中所述发生器单元排列形成二维网络。

3.权利要求2的用途，其中所述发生器单元排列成矩形阵列。

4.权利要求2的用途，其中所述发生器单元排列成正方形阵列。

5.权利要求1-4任一项的用途，其中存在多个进气单元。

6.权利要求1-4任一项的用途，其中所述进气单元包含具有多个 出口的格栅以及用于接收气体并将它供给至出口的装置。

7.权利要求1-4任一项的用途，其中所述气体出口位于磁体包络 体中。

8.权利要求1-4任一项的用途，其中定位气体出口以使得气体 必须流过磁体的整个长度。

9.权利要求1-4任一项的用途，其中定位气体出口以使得从该 气体出口引导的气体在它离开该出口后必须行进至少一个平均自由程 的距离，然后离开热电子约束包络体。

10.权利要求1-4任一项的用途，其中定位气体出口以使得从该 气体出口引导的气体在它离开出口后必须行进如下距离然后离开热电 子约束包络体，所述距离等于该热电子约束包络体离膜沉积区域最远 的边界到该热电子约束包络体最靠近膜沉积区域的边界之间距离的至 少一半。