[发明专利]利用气体团簇离子束的固体表面平坦化方法及固体表面平坦化设备有效
申请号: | 200780040894.5 | 申请日: | 2007-10-30 |
公开(公告)号: | CN101548366A | 公开(公告)日: | 2009-09-30 |
发明(设计)人: | 铃木晃子;佐藤明伸;伊曼纽尔·布雷尔;松尾二郎;瀬木利夫 | 申请(专利权)人: | 日本航空电子工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 气体 离子束 固体 表面 平坦 方法 设备 | ||
1.一种利用气体团簇离子束的固体表面平坦化方法,包括:
预先获得所述固体表面的形状数据的步骤;以及
以大于或等于临界角度的照射角度将所述气体团簇离子束导向到所述固 体表面的照射步骤,并且垂直投影到平坦化目标面的照射方向与垂直于不平 坦图案延伸的方向的方向匹配,所述不平坦图案的由所述形状数据识别的间 隔在800nm至1.1μm的范围内,所述照射角度定义为所述固体表面的法线 与所述气体团簇离子束之间形成的角度,以及所述临界角度定义为所述固体 与碰撞所述固体的团簇之间的相互作用距离明显增加时的照射角度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造