[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200780040960.9 | 申请日： | 2007-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN101536182A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 黑田尚孝;分岛彰男;田能村昌宏;宫本广信 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L23/36;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
半导体元件，所述半导体元件具有矩形的二维几何形状且用作热源；以及
热沉部，所述热沉部使得所述半导体元件安装于其上，
其中，在X、Y和Z方向中呈现出所述热沉部的热导率的最小方向分量的方向与除了Z方向之外的方向相平行，其中，所述半导体元件的长边方向定义为X方向，其短边方向定义为Y方向，并且厚度方向定义为Z方向。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，
在X、Y和Z方向中呈现出所述热沉部的热导率的最小方向分量的方向与X方向相平行。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其中，
所述热导率的方向分量当中的关系为：
Kzz≥Kyy＞Kxx，
其中，将X、Y和Z方向中的所述热沉部的三维热导率的方向分量限定为Kzz、Kyy和Kxx。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述热沉部包括至少在其正面和背面的金属层。
5.如权利要求4所述的半导体器件，其中，
在所述金属层和所述热沉部之间的界面中包括接合层。
6.如权利要求1所述的半导体器件，
其中，包括多个所述半导体元件，并且
其中，所述各半导体元件被沿着所述半导体元件的长边方向串联地排列。
7.如权利要求1所述的半导体器件，其中，
在X、Y和Z方向中的所述热沉部的所述热导率的至少两个方向分量等于或高于600W/mK，所述热沉部具有各向异性的热导率。
8.如权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述热沉部由至少包括碳的复合材料组成。
9.如权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述热沉部由复合材料组成，并且，被规定为Kxx、Kyy和Kzz的、所述复合材料的三维热导率的各方向中的每个方向相对于所述半导体元件的X、Y和Z方向中的每个方向倾斜10度以内。
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