[发明专利]包括整流结分流器的功率开关半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包含：

具有第一导电类型的漂移层；

毗连该漂移层的第一体区，该第一体区具有与所述第一导电类型相 反的第二导电类型并与该漂移层形成p-n结；

在该第一体区上的具有所述第二导电类型的第二体区；

毗连该第一和第二体区的接触器区，该接触器区具有所述第一导电 类型；

从该接触器区到漂移层在第一和第二体区之间延伸的分流器沟道 区，该分流器沟道区具有所述第一导电类型；

与该第一和第二体区以及该接触器区电接触的第一端子；以及

与该漂移层电接触的第二端子，

其中分流器沟道区具有选择的长度、厚度和掺杂浓度使得当零电压 被施加在第一和第二端子上时该分流器沟道区完全耗尽。

2.权利要求1所述的半导体器件，其中沟道区具有从1E15到5E17cm^-3的掺杂浓度并具有从0.05μm到1μm的厚度。

3.权利要求1所述的半导体器件，其中选择分流器沟道区的长度厚 度和掺杂浓度以及第一体区和第二体区的掺杂浓度使得当小于第一体区 和漂移层之间的p-n结的内建电势的电压施加到第一端子时在分流器沟 道区中形成导电沟道。

4.权利要求3所述的半导体器件，其中第一体区和第二体区均具有 从1E16到1E20cm^-3的掺杂浓度。

5.权利要求1所述的半导体器件，进一步包含：

具有第一导电类型且具有比漂移层的掺杂剂浓度大的掺杂剂浓度的 衬底，其中漂移层在衬底上且其中第二端子在衬底上。

6.权利要求1所述的半导体器件，其中第一体区包含漂移层中的注 入区，并且其中分流器沟道区包含在漂移层上的外延层，并且其中第二 体区包含在沟道区上的体外延层。

7.权利要求6所述的半导体器件，其中接触器区延伸通过第二体区 并进入第一体区。

8.权利要求1所述的半导体器件，其中接触器区包含第一接触器区， 且该半导体器件还包含具有第二导电类型且延伸进入第一体区的第二接 触器区。

9.权利要求8所述的半导体器件，其中第一端子与第二接触器区电 接触。

10.权利要求1所述的半导体器件，其中第一导电类型为n型而第二 导电类型为p型。

11.权利要求1所述的半导体器件，其中第一导电类型为p型而第二 导电类型为n型。

12.权利要求1所述的半导体器件，其中第一端子包含阳极端子而第 二端子包含阴极端子。

13.权利要求1所述的半导体器件，进一步包含：

在接触器区和漂移层之间的第二体区的表面上的栅绝缘体层；以及

在栅绝缘体层上的栅接触；

其中第一端子包含源端子；且

其中第二端子包含漏端子。

14.权利要求13所述的半导体器件，进一步包含在第二体区上的阈 值调整层，该阈值调整层选择掺杂浓度以调整该半导体器件的阈值电压。

15.权利要求13所述的半导体器件，进一步包含毗连第一和/或第二 体区的颈注入区，该颈注入区具有第一导电类型，其中分流器沟道区在 接触器区和颈注入区之间延伸。

16.权利要求1所述的半导体器件，其中接触器区包含从该半导体器 件的表面延伸进入第二体区的垂直接触器区以及与该垂直接触器区接触 并从该垂直接触器区延伸到分流器沟道区的水平接触器区。

17.权利要求1所述的半导体器件，还包含在第二体区内的凹槽以及 在该凹槽中的导电材料，并且其中接触器区包含与该凹槽接触并从该凹 槽延伸到沟道区的水平接触器区。

18.权利要求1的半导体器件，其中分流器沟道区具有选择的长度、 厚度和掺杂浓度使得当第一体区和漂移层之间的p-n结被反向偏置时该 分流器沟道区不导电。