[发明专利]可变电容器、可变电容器装置、高频电路用滤波器及高频电路有效
申请号: | 200780041160.9 | 申请日: | 2007-12-13 |
公开(公告)号: | CN101536126A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
发明(设计)人: | 西山圆 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | H01G5/16 | 分类号: | H01G5/16 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 吕林红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可变电容器 装置 高频 电路 滤波器 | ||
1.一种可变电容器,其特征在于,具备:第一电极部,设置在 包含基板的固定部上;及可动部,具有固定端相对于所述固定部固定 的悬臂梁结构,在前端侧具有在与所述第一电极部之间形成该可变电 容器的电容的第二电极部;
所述可动部具有配置在所述第二电极部与所述固定端之间的弯 曲部、及配置在所述弯曲部与所述固定端之间的直线状部;
在未对所述可动部施加驱动力的状态下,所述弯曲部由于自身保 有的应力,以从所述固定端侧朝向所述前端侧而从所述固定部侧上翘 的方式弯曲;
在未对所述可动部施加驱动力的状态下,所述直线状部由于自身 保有的应力,在与所述固定部之间隔着间隔的状态下,从所述固定端 侧朝向所述前端侧而与所述基板的主平面基本平行地延伸;
所述可动部响应第一驱动信号而位移,以使得选择性地成为所述 第二电极部与所述第一电极部对置的对置状态、或者从上方观察时所 述第二电极部与所述第一电极部不会重迭的非对置状态;
在未对所述可动部施加驱动力的状态下成为所述非对置状态。
2.根据权利要求1所述的可变电容器,其中所述可动部是由薄 膜构成的。
3.根据权利要求1所述的可变电容器,其中所述非对置状态下 的所述电容基本为零。
4.根据权利要求1所述的可变电容器,其中所述对置状态下的 所述电容为所述非对置状态下的所述电容的10倍以上。
5.根据权利要求1所述的可变电容器,其中,
所述第一电极部构成高频信号线的一部分;
在从所述基板的主面的法线方向进行俯视观察时,从所述固定端 侧朝向所述前端侧的方向与所述高频信号线的延伸方向基本正交。
6.根据权利要求1所述的可变电容器,其中,
所述固定部在与所述直线状部的至少一部分及所述弯曲部的至 少一部分相对应的部位上具有第三电极部;
所述可动部在所述直线状部及所述弯曲部上具有第四电极部;
作为所述第一驱动信号而对所述第三及第四电极部之间施加驱 动电压后,作用于所述第三及第四电极部之间的静电力被作为所述第 一驱动信号所产生的驱动力而施加到所述可动部上;
在将所述第一驱动信号所产生的预定大小以上的驱动力施加到 所述可动部上时,在该驱动力的作用下,所述直线状部的至少一部分 及所述弯曲部的至少一部分被牵引到所述固定部侧而成为所述对置 状态。
7.根据权利要求6所述的可变电容器,其中所述第二电极部与 所述第四电极部电连接。
8.根据权利要求6所述的可变电容器,其中所述第一电极部与 所述第三电极部电分离。
9.根据权利要求1所述的可变电容器,其中所述基板是搭载有 CMOS部的电路基板。
10.根据权利要求1所述的可变电容器,其中,所述可动部在所 述对置状态下,响应第二驱动信号而部分地位移,以使得所述第一电 极部的至少一部分与所述第二电极部之间的间隔变化。
11.根据权利要求10所述的可变电容器,其中,在所述可动部 的所述第二电极附近的部位或者与该部位相对应的所述固定部的部 位上,设置有在所述对置状态下与所述固定部或者所述可动部相抵接 的支撑凸起,以使所述可动部的所述第二电极附近的部分在所述对置 状态下由固定部支撑。
12.根据权利要求11所述的可变电容器,其中,所述可动部的 所述第二电极附近的部分是在所述对置状态下,经由所述支撑凸起而 以双侧支持的状态由所述固定部所支撑。
13.根据权利要求10所述的可变电容器,其中,作为所述第二 驱动信号而对所述第一及第二电极部之间施加直流偏置电压后,作用 于所述第一及第二电极部之间的静电力被作为所述第二驱动信号所 产生的驱动力而施加到所述可动部上。
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