[发明专利]各向异性的半导体膜及其制造方法

权利要求书

1.一种位于基质上的各向异性半导体膜，包括

至少一个包含主要为平面的石墨烯状碳基结构的材料的固体层， 并且

具有各向异性的传导性，

其中所述层的厚度为5nm至1000nm。

2.根据权利要求1的各向异性半导体膜，其中所述层的厚度为5 nm至1000nm。

3.根据权利要求1或2的各向异性半导体膜，其中所述固体层具 有光学各向异性。

4.根据权利要求1-3中任一项的各向异性半导体膜，其中所述石 墨烯状碳基结构在基质表面整体有序。

5.根据权利要求1-4中任一项的各向异性半导体膜，其中所述材 料为n-型半导体材料。

6.根据权利要求1-4中任一项的各向异性半导体膜，其中所述材 料为p-型半导体材料。

7.根据权利要求1-6中任一项的各向异性半导体膜，其中所述石 墨烯状碳基结构包括导电性与金属类的导电性相近的基本为平面的六 边形碳核。

8.根据权利要求1-7中任一项的各向异性半导体膜，其中所述石 墨烯状碳基结构的平面的取向主要与所述基质的表面垂直。

9.根据权利要求1-8中任一项的各向异性半导体膜，其中所述石 墨烯状碳基结构形成取向主要与所述基质的表面平行的堆叠体。

10.根据权利要求1-7中任一项的各向异性半导体膜，其中所述石 墨烯状碳基结构的平面的取向主要与所述基质的表面平行。

11.根据权利要求1-8中任一项或权利要求10的各向异性半导体 膜，其中所述石墨烯状碳基结构形成取向主要与所述基质的表面垂直 的堆叠体。

12.根据权利要求1-11中任一项的各向异性半导体膜，还包括具 有漂移电导的区域。

13.根据权利要求1-12中任一项的各向异性半导体膜，其中所述 基质由柔性材料制成。

14.根据权利要求1-12中任一项的各向异性半导体膜，其中所述 基质由刚性材料制成。

15.根据权利要求1-14中任一项的各向异性半导体膜，其中所述 基质的表面是平的、凸的、凹的，或具有这些形式的组合的几何形状。

16.根据权利要求1-15中任一项的各向异性半导体膜，其中所述 基质由一种或几种选自以下的材料制成：Si、Ge、SiGe、GaAs、金刚 石、石英、碳化硅、砷化铟、磷化铟、碳化硅锗、磷砷化镓、磷化镓 铟、塑料、玻璃、陶瓷、金属-陶瓷复合物和金属。

17.根据权利要求1-16中任一项的各向异性半导体膜，其中所述 石墨烯状碳基结构的平面之间的距离约等于3.5±0.1。

18.根据权利要求1-17中任一项的各向异性半导体膜，其中所述 石墨烯状碳基结构具有圆盘、板、薄片、带或它们的任意组合的形式。