[发明专利]传导聚合物的沉积和非传导基材的金属化

权利要求书

1.用电解镀铜金属化将介电基材表面金属化的方法，该方法包 括：

将介电基材与包含氧化剂的引发剂组合物接触，从而在介电基材 表面上形成氧化物膜；

将所述具有氧化物膜的介电基材表面与催化剂组合物接触，该催 化剂组合物包含至少一种用以在该介电基材表面上形成导电聚合物 的杂环芳族分子、酸和足以提供至少0.85g/L初始Mn(II)离子浓度 的量的Mn(II)离子源，以在该介电基材表面上形成导电聚合物；

将所述具有导电聚合物的介电基材表面与电解沉积组合物接触， 该电解沉积组合物包铜离子源和酸；和

供给外部电子源，以将来自所述电解沉积组合物的铜电解沉积在 所述导电聚合物上。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述Mn(II)离子源按足以 提供至少1g/L初始Mn(II)离子浓度的量加入。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述Mn(II)离子源按足以 提供至少2g/L初始Mn(II)离子浓度的量加入。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述Mn(II)离子源按足以 提供2g/L-10g/L初始Mn(II)离子浓度的量加入。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述Mn(II) 离子源选自MnSO₄、次磷酸锰及其组合。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述催化剂 组合物还包含用于所述电解沉积铜的铜离子源。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述氧化物 膜和所述催化剂组合物中的酸引发与至少一种杂环芳族分子的反应， 从而形成所述导电聚合物。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述引发剂 组合物包含40-70g/L高锰酸盐，所述介电基材表面上的氧化物膜是 锰(IV)氧化物膜，并且所述锰(IV)氧化物膜和所述酸引发与至少一种 杂环芳族分子反应，从而形成所述导电聚合物。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中用于形成所 述导电聚合物的所述至少一种杂环芳族分子衍生自环戊二烯。

10.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中用于形成所述 导电聚合物的所述至少一种杂环芳族分子具有如下结构：

其中：

X选自O、S和N；以及

R₁和R₂各自独立地选自氢、卤素、具有1-8个碳原子的取代或未 取代的烷基和具有1-8个碳原子的取代或未取代的烷氧基。

11.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中用于形成所述 导电聚合物的所述至少一种杂环芳族分子是用下式表示的3，4-乙撑 二氧噻吩：

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述催化剂组合物中的 酸选自硫酸、磷酸、磺酸、烷基磺酸、聚合磺酸、聚苯乙烯磺酸、多 聚磷酸、羟乙基磺酸、磺基丁二酸、对甲苯磺酸及它们的组合。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述催化剂组合物还包 含溶剂，该溶剂选自甲醇，乙醇，正丙醇，异丙醇，高级醇，多元醇， DMF(二甲基甲酰胺)，甲乙酮，异丙基苯磺酸盐，N-甲基吡咯烷酮， 三甘醇二甲醚，二甘醇二甲醚，甲苯磺酸盐的碱金属盐，或前述所有 化合物的乙基酯、水性碱溶液或其组合。

14.根据权利要求11所述的方法，其中以8A/dm²-20A/dm²的 电流密度供给所述外部电子源。

15.根据权利要求11所述的方法，其中该方法以水平方式进行。