[发明专利]硅点形成方法及装置以及带硅点和绝缘膜的基板的形成方法及装置

权利要求书

1.硅点形成方法，它是向设置于第一等离子体生成室内的经低电感化的第一天线施加高频电力，由被供给至所述室内的硅点形成用气体生成电感耦合等离子体，基于所述电感耦合等离子体在配置于所述室内的基板上形成硅点的硅点形成方法，其特征在于，在形成硅点时，所述第一等离子体生成室内生成的等离子体处于不稳定状态期间，将所述基板置于不暴露于所述不稳定等离子体的状态，所述等离子体稳定后，使所述基板暴露于所述稳定化等离子体而开始在所述基板上形成硅点。

2.如权利要求1所述的硅点形成方法，其特征在于，预先设置用于遮蔽配置于所述第一等离子体生成室内的基板而使其不暴露于所述室内生成的等离子体的可开闭的遮蔽装置，在形成硅点时，通过所述遮蔽装置遮蔽所述基板而使其不暴露于所述等离子体，置于不暴露于不稳定等离子体的状态，直至所述第一等离子体生成室内的等离子体稳定为止，所述等离子体稳定后，打开所述遮蔽装置，基于所述稳定化等离子体开始在所述基板上形成硅点。

3.如权利要求1所述的硅点形成方法，其特征在于，预先设置使配置于所述第一等离子体生成室内的基板退避而使其不暴露于所述室内生成的等离子体的基板退避装置，在形成硅点时，通过所述基板退避装置使所述基板退避而使其不暴露于所述等离子体，置于不暴露于不稳定等离子体的状态，直至所述第一等离子体生成室内的等离子体稳定为止，所述等离子体稳定后，通过所述基板退避装置将所述基板配置到暴露于所述稳定化等离子体的位置，开始在所述基板上形成硅点。

4.如权利要求1～3中的任一项所述的硅点形成方法，其特征在于，所述第一等离子体生成室内生成的等离子体的不稳定状态和稳定状态通过针对所述第一等离子体生成室设置的等离子体状态掌握装置来掌握。

5.如权利要求1、2或者3所述的硅点形成方法，其特征在于，在所述硅点形成时，向所述第一等离子体生成室内供给硅烷类气体和氢气作为所述硅点形成用的气体，由这些气体生成所述电感耦合等离子体，所述等离子体处于不稳定状态期间，将所述基板置于不暴露于所述不稳定等离子体的状态，所述等离子体稳定后，使所述基板暴露于所述稳定化等离子体而开始在所述基板上形成硅点。

6.如权利要求1、2或者3所述的硅点形成方法，其特征在于，在所述第一等离子体生成室内预先设置硅溅射靶材，在所述硅点形成时，向所述第一等离子体生成室内供给溅射用气体作为所述硅点形成用的气体，由所述溅射用气体生成所述电感耦合等离子体，所述等离子体处于不稳定状态期间，将所述基板置于不暴露于所述不稳定等离子体的状态，所述等离子体稳定后，使所述基板暴露于所述稳定化等离子体，通过基于所述稳定化等离子体的所述硅溅射靶材的化学溅射，开始在所述基板上形成硅点。

7.如权利要求1、2或者3所述的硅点形成方法，其特征在于，在所述硅点形成前，向所述第一等离子体生成室内供给硅膜形成用气体，通过向所述第一天线施加高频电力使所述气体等离子体化，基于所述等离子体在所述第一等离子体生成室内的作为硅膜形成对象的构件上预先形成硅膜，在所述硅点形成时，向所述第一等离子体生成室内供给溅射用气体作为所述硅点形成用的气体，由所述溅射用气体生成所述电感耦合等离子体，所述等离子体处于不稳定状态期间，将所述基板置于不暴露于所述不稳定等离子体的状态，所述等离子体稳定后，使所述基板暴露于所述稳定化等离子体，通过基于所述稳定化等离子体的所述硅膜的化学溅射，开始在所述基板上形成硅点。

8.如权利要求1、2或者3所述的硅点形成方法，其特征在于，在所述硅点形成后，对选自含氧气体和含氮气体的至少一种封端处理用气体施加高频电力，基于藉此生成的封端处理用等离子体对所述硅点的表面进行封端处理。

9.如权利要求8所述的硅点形成方法，其特征在于，在所述第一等离子体生成室内形成硅点后，将形成有所述硅点的所述基板搬入与所述等离子体生成室连接设置的封端处理室，在所述封端处理室内实施所述封端处理。