[发明专利]具有优化的负载暂态响应的DC-DC变换器控制器及其方法有效
申请号: | 200780041796.3 | 申请日: | 2007-01-25 |
公开(公告)号: | CN101536298A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
发明(设计)人: | J·M·卡皮拉;O·考希 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H02M3/158 | 分类号: | H02M3/158 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 屠长存 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 优化 负载 响应 dc 变换器 控制器 及其 方法 | ||
1.一种形成电源控制器的方法,包括:
配置所述电源控制器以形成具有用于控制第一开关和第二开关 来将输出电压调节到第一值的开关循环的驱动信号,其中所述第一开 关被配置用于向输出电压提供电流,所述第二开关被配置用于从所述 输出电压汲取电流;
配置所述电源控制器的第一控制电路,以响应于所述输出电压的 第二值而设定第一控制信号的第一状态,并响应性地禁止所述电源控 制器的随后的开关循环,所述第二值大于所述第一值;以及
配置第二控制电路,以在随后的开关循环被禁止的至少一部分时 间期间,响应于禁止所述随后的开关循环截止所述第一开关且不截止 所述第二开关。
2.如权利要求1所述的方法,进一步包括配置所述第二控制电 路,以迫使所述第二开关在所述一部分时间期间传导第一电流。
3.如权利要求2所述的方法,其中配置所述第二控制电路以迫 使所述第二开关在所述一部分时间期间传导所述第一电流包括选择 性地将所述第二开关耦合在第一电流镜结构中,以接收具有与电流源 的电流成比例的值的控制信号。
4.如权利要求3所述的方法,其中选择性地将所述第二开关耦 合在所述第一电流镜结构中包括耦合第二电流镜,以形成与所述电流 源的电流成比例的第二电流。
5.如权利要求1所述的方法,其中配置所述第二控制电路包括 配置所述第二控制电路,以控制所述第二开关的栅极到源极电压不小 于所述第二开关的阈值电压。
6.一种形成电源控制器的方法,包括:
配置所述电源控制器,以控制第一开关和第二开关来将输出电压 调节到第一值,其中所述第一开关被配置用于向输出电压提供电流, 所述第二开关被配置用于从所述输出电压汲取电流;
配置所述电源控制器的第一控制电路,以响应于所述输出电压的 第二值而设定第一控制信号的第一状态,并响应性地禁止所述电源控 制器的随后的开关循环,所述第二值大于所述第一值;以及
配置第二控制电路,以在随后的开关循环被禁止的至少一部分时 间期间截止所述第一开关且不截止所述第二开关;
将第一晶体管耦合作为所述第一开关;以及
将作为所述第二开关的第二晶体管与第三晶体管选择性地耦合 为第一电流镜结构,以控制通过所述第二开关的第一电流。
7.如权利要求6所述的方法,其中所述将作为所述第二开关的 第二晶体管与第三晶体管选择性地耦合为第一电流镜结构,以控制通 过所述第二开关的第一电流的步骤包括响应于从所述第一控制电路 接收的控制信号来将所述第二晶体管选择性地耦合在所述第一电流 镜结构中。
8.如权利要求6所述的方法,其中所述将作为所述第二开关的 第二晶体管与第三晶体管选择性地耦合为第一电流镜结构,以控制通 过所述第二开关的第一电流的步骤包括选择性地耦合所述第一电流 镜,以接收第二电流并迫使所述第一电流与所述第二电流成比例。
9.如权利要求6所述的方法,其中所述将作为所述第二开关的 第二晶体管与第三晶体管选择性地耦合为第一电流镜结构,以控制通 过所述第二开关的第一电流的步骤包括耦合第四晶体管,以将所述第 三晶体管的控制电极选择性地耦合到所述第三晶体管的第一载流电 极和所述第二晶体管的控制电极,并从第二电流镜接收第二电流。
10.如权利要求9所述的方法,进一步包括配置所述第二电流镜, 以将所述第二电流形成为与电流源的第三电流成比例。
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