[发明专利]含有Si-O的氢化碳膜、具有该氢化碳膜的光学装置以及制备含有Si-O的氢化碳膜和光学装置的方法

权利要求书

1.一种含有Si-O的氢化碳膜，其对于波长为520nm的光的折 射率为至少1.48到至多1.85，并且对于波长为248nm的光的消光系 数小于0.15，其中通过用能量束照射，所述折射率和所述消光系数都 降低，所述能量束选自由离子束、电子束、中子束、紫外线、X射线 和γ射线所组成的组。

2.根据权利要求1所述的含有Si-O的氢化碳膜，其中，在所述 能量束照射之前，对于波长为248nm的光的所述消光系数小于0.12。

3.根据权利要求1所述的含有Si-O的氢化碳膜，其中，在所述 能量束照射之前，对于波长为520nm的光的所述折射率为至少1.56 到至多1.76。

4.根据权利要求1所述的含有Si-O的氢化碳膜，其中，通过所 述能量束照射，对于波长为520nm的光的所述折射率降低了至少 0.03到至多0.40的变化量，并且降低后的折射率为至少1.45。

5.根据权利要求4所述的含有Si-O的氢化碳膜，其中，所述折 射率的所述变化量为至少0.10到至多0.30。

6.根据权利要求1所述的含有Si-O的氢化碳膜，其中，在所述 能量束照射之前，硅含量为大于0.80×10²²原子/厘米³且小于1.5×10²²原子/厘米³，氢含量为大于4.0×10²²原子/厘米³且小于8.0×10²²原子 /厘米³，氧含量为大于0.80×10²²原子/厘米³且小于1.4×10²²原子/厘 米³，碳含量为大于1.5×10²²原子/厘米³且小于2.3×10²²原子/厘米³， O/Si的原子％比值为大于0.5且小于1.5，以及C/Si的原子％比值为 大于1.0且小于3.0。

7.根据权利要求1所述的含有Si-O的氢化碳膜，其中，在所述 能量束照射之前，密度为大于1.15g/cm³至小于1.60g/cm³，自旋密 度为大于1.0×10¹⁶转/厘米³至小于1.0×10²⁰转/厘米³。

8.根据权利要求1所述的含有Si-O的氢化碳膜，其中，在所述 能量束照射之后，硅含量为大于0.80×10²²原子/厘米³且小于1.5×10²²原子/厘米³，氢含量为大于1.0×10²²原子/厘米³且小于8.0×10²²原子 /厘米³，氧含量为大于0.80×10²²原子/厘米³且小于3.0×10²²原子/厘 米³，碳含量为大于1.0×10²²原子/厘米³且小于2.3×10²²原子/厘米³， O/Si的原子％比值为大于0.5且小于2.0，以及C/Si的原子％比值为 大于1.0且小于3.0。

9.根据权利要求1所述的含有Si-O的氢化碳膜，其中，在所述 能量束照射之后，密度为大于1.15g/cm³至小于1.80g/cm³，自旋密 度小于1.0×10²⁰转/厘米³。