[发明专利]像素电路及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及有机EL(Electro Luminescence：电致发光)显示器或场致发 射显示器(FED：Field Emission Display：场致发射显示器)等的使用电流驱 动晶体管的像素电路及显示装置。

背景技术

近年来，随着对于质量轻、薄型、高速响应的显示器的需求的增长， 对于有机EL(Electro Luminescence：电致发光)显示器或场致发射显示器 (FED：Field Emission Display：场致发射显示器)的研发日益活跃。

由于有机EL元件的亮度和电压之间的关系容易随驱动时间或周边温 度而变动，因此在电压控制型的驱动方法中要抑制亮度的偏差是非常困难 的。然而，由于亮度和电流成正比关系，受周边温度等外界因素的影响也 较小，因此作为有机EL显示器的驱动方式最好为电流控制型。

另一方面，作为构成显示器中的像素电路及驱动电路的开关元件的 TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)，是使用非晶硅、低温多晶硅或 CG(Continuous Grain：连续晶粒)硅。然而，在阈值电压或迁移率的特性中 容易产生偏差，一般用补偿各自的偏差的电路结构来抑制亮度的偏差。

在电流控制型的驱动方法中，若对补偿TFT特性的偏差的像素电路作 大致区别，则分为电流编程方式和电压编程方式的两种方法。前者是根据 电流信号对流过驱动用TFT的电流值进行编程的方式，后者是根据电压信 号对流过驱动用TFT的电流值进行编程的方式，前者能够校正驱动用TFT 的阈值电压及迁移率，而后者只能校正阈值电压。然而，由于是处理非常 微小的电流值，因此电流编程方式的像素及驱动器电路的设计较为困难， 另外，寄生电容对电流值的编程所需的期间带来的影响较大，不易将面积 做大。与此不同的是，电压编程方式虽然不能校正TFT的迁移率，但由于 是根据电压信号来进行电流值的编程，因此寄生电容的影响也较小，电路 设计较为简单。而且，由于迁移率的偏差对电流值带来的影响相比阈值电 压的偏差对电流值带来的影响要小，由于可期待在TFT制造工艺中在某种 程度上将其控制住，因此即使是电压编程方式的显示装置，也能得到相当 好的显示品质。

作为采用上述电压编程方式的电流控制型的驱动方法的有机EL显示 器的像素电路结构，在图8中示出专利文献1所披露的电路结构。

图8所示的像素电路Aij100由驱动用TFT110、开关用TFT120和121 和122、电容140和141、及有机EL元件(OLED：Organic Light Emitting Diode(有机发光二极管))150构成。上述驱动用TFT110、及开关用TFT120 和121和122都是p沟道型。

像素电路Aij100中，从电源线164(+VDD)到公用阴极(GND)之间，以 驱动用TFT110、开关用TFT121、及有机EL元件150的顺序串联连接。 驱动用TFT110的栅极端子G和数据线160之间，串联连接有电容140和 开关用TFT122。另外，开关用TFT120连接在驱动用TFT110的栅极端子 G和漏极端子D之间，电容141连接在驱动用TFT110的栅极端子G和电 源线164之间。

而且，开关用TFT122的栅极端子G与选择线161连接，开关用TFT120 的栅极端子G与自动归零(日文：オ一トゼロ)线162连接，开关用TFT121 的栅极端子G与照明线163连接。

图9中示出该像素电路Aij100的动作时序的例子。

首先，在第1期间，通过将自动归零线162及照明线163设成低电位， 从而开关用TFT120和121成为导通状态，驱动用TFT110的漏极端子D 和栅极端子G成为相同电位。此时，驱动用TFT110也成为导通状态，从 电源线164通过驱动用TFT110及开关用TFT121，向有机EL元件150流 过电流。此时，将数据线160设置成基准电位Vstd，通过将选择线161设 成低电位，从而预先将电容140的开关用TFT122侧的端子设成基准电位 Vstd。