[发明专利]非易失性存储器软编程中的受控升压

权利要求书

1.一种操作非易失性存储器的方法，其包含：

将多个编程电压脉冲施加到字线集合，以对耦合到所述字线集合的第一非易失性 存储元件群组(40)进行软编程，其中施加编程电压脉冲中的每一者包括将第一电 压施加到所述字线集合接着施加比所述第一电压大的第二电压。

对于编程电压脉冲中的每一者，在开始施加所述第一电压之后和开始施加所述第 二电压之前，将抑制电压施加到与第二非易失性存储元件群组耦合的位线，其中所 述第二非易失性存储元件群组与所述字线集合耦合；

其中施加编程电压脉冲中的每一者包含：

通过以第一电压电平施加第一编程电压脉冲的所述第一电压，及以第二电压电平 施加所述第一编程电压脉冲的所述第二电压而施加所述第一编程电压脉冲；以及

通过以第三电压电平施加第二编程电压脉冲的所述第一电压及以第四电压电平 施加所述第二编程电压脉冲的所述第二电压而施加所述第二编程电压脉冲，所述第 三电压电平高于所述第一电压电平，且所述第四电压电平高于所述第二电压电平；

其中在所述第一编程电压脉冲之后施加所述第二编程电压脉冲。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述方法进一步包含在施加所述第一编程电压脉冲之后且在施加所述第二编程 电压脉冲之前施加第三编程电压脉冲，所述第三编程电压脉冲的所述第一电压是以 所述第一电压电平施加。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中：

所述第一电压电平与所述第二电压电平之间的差大体上等于所述第三电压电平 与所述第四电压电平之间的差。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含：

通过在将所述第二电压施加到所述字线集合的同时将所述抑制电压施加到所述 第二非易失性存储元件群组(42)的位线，抑制对耦合到所述字线集合的所述第二 非易失性存储元件群组的软编程；

通过在施加所述抑制电压的同时将所述第一电压施加到所述字线集合，对所述第 二非易失性存储元件群组(42)的沟道区域进行预充电；以及

通过在施加所述抑制电压的同时将所述第二电压施加到所述字线集合，对所述第 二非易失性存储元件群组(42)的所述沟道区域进行升压。

5.根据权利要求4所述的方法，其中施加所述编程电压脉冲中的每一者包含：

其中对所述沟道区域进行升压包括在施加所述第一编程电压脉冲的同时以第一 量来对所述沟道区域进行升压，及在施加所述第二编程电压脉冲的同时以第二量来 对所述沟道区域进行升压，其中所述第一量等于所述第二电压电平与所述第一电压 电平之间的差，且第二量等于所述第四电压电平与所述第三电压电平之间的差。

6.根据权利要求1所述的方法，其中：

响应于擦除耦合到所述字线集合的所述非易失性存储元件的请求而执行施加所 述多个编程电压脉冲。

7.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述字线集合耦合到非易失性存储元件块(90)；

所述第一非易失性存储元件群组(40)为所述块的第一NAND串(40)；

所述第二非易失性存储元件群组为第二NAND串(42)，所述第二NAND串在 施加所述一个或一个以上编程电压脉冲的同时被抑制软编程。

8.根据权利要求1所述的方法，其中：

耦合到所述字线集合的所述非易失性存储元件为多状态快闪存储器单元。