[发明专利]直接法中的耐损耗材料有效
申请号: | 200780042481.0 | 申请日: | 2007-11-28 |
公开(公告)号: | CN101535758A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
发明(设计)人: | J·J·克莱兰霍斯特;M·G·克罗帕;J·莫洛伊;R·T·普里特查德;M·施劳本 | 申请(专利权)人: | 陶氏康宁公司 |
主分类号: | F28F19/06 | 分类号: | F28F19/06 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 柳爱国 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 直接 中的 损耗 材料 | ||
1.一种直接法反应器,包括:
反应室,用于通过硅粉与卤化氢或有机卤化物进行反应来制备卤 代硅烷;以及
至少一个热交换元件,用于传送传热介质,所述热交换元件定位 在所述直接法反应器的所述反应室中,
其特征在于,所述热交换元件在其表面的至少一部分上具有耐损 耗涂层,其中所述耐损耗涂层冶金结合于所述热交换元件且具有高于 50HRC的硬度,并且包括遍布于基体中的硬质颗粒;并且
所述耐损耗涂层能够通过两步骤方法来获得,所述两步骤方法包 括:进行配制布料的涂覆或者配制悬浮液的涂覆的第一步骤,以施加 遍布于基体中的硬质颗粒;以及通过加热来形成冶金结合的第二步骤。
2.如权利要求1所述的直接法反应器,其中,所述耐损耗涂层具 有高于200MPa的结合强度。
3.如权利要求1所述的直接法反应器,其中,所述耐损耗涂层能 够承受温度超过300℃的氯化氢、氯硅烷、硅粉以及氢气的环境而无 明显降解。
4.一种用于生产卤代硅烷的直接法,其包括在如权利要求1-3 中任一项所述的直接法反应器中使硅粉与有机卤化物或卤化氢进行反 应。
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