[发明专利]在敏感层上具有多个电极的辐射探测器在审

专利信息
申请号: 200780042651.5 申请日: 2007-11-12
公开(公告)号: CN101542315A 公开(公告)日: 2009-09-23
发明(设计)人: K·J·恩格尔;G·蔡特勒;C·博伊默;C·赫尔曼;J·维格特;R·普罗克绍;E·勒斯尔;R·斯特德曼布克 申请(专利权)人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
主分类号: G01T1/29 分类号: G01T1/29
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 王 英;刘炳胜
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 敏感 具有 电极 辐射 探测器
【权利要求书】:

1.一种辐射探测器(100,200,300,400,500),包括:

a)辐射孔径(101,401),沿平均辐射方向(y)传播的光子(X)可以 通过所述辐射孔径而进入;

b)敏感层(112,212,312,412,512),其用于将通过所述辐射孔径而来 的光子(X)转换成电信号,所述敏感层具有平行于所述辐射方向(y)的 正面(F)和背面(B);

c)二维阵列的独立可寻址的电极(113,213,313,413,513),其位于所 述敏感层的所述正面(F)上,其中,所述正面(F)上的至少两个电极(113, 313)具有不同的形状;

d)至少一个对电极(111,211,311,411),其位于所述敏感层的所述背 面(B)上;

e)信号处理电路,至少一个电极(213)连接至所述信号处理电路, 并且所述信号处理电路包括至少一个用于抑制低于预定阈值的电脉冲的鉴 别器(223)和至少一个用于对由所述电极感测的电脉冲的数量进行计数的 脉冲计数器(224)。

2.根据权利要求1所述的辐射探测器(100,300),其特征在于,所述 正面(F)上的至少两个电极(113,213,313,413)具有在所述辐射方向(y) 上测量的不同高度(dy)。

3.根据权利要求2所述的辐射探测器(100,300),其特征在于,所述 高度(dy)在所述辐射方向(y)上增加。

4.根据权利要求1所述的辐射探测器(100,200,300,400,500),其特 征在于,所述信号处理电路还包括至少一个放大器(222)。

5.根据权利要求1所述的辐射探测器(100,200,300,400,500),其特 征在于,至少一个电极(213)连接至用于将所述电极的位置与所探测到的 光子(X)的能量相关联的评估模块(224)。

6.根据权利要求1所述的辐射探测器(500),其特征在于,连接线(521) 位于所述正面(F)上,其中,所述线中的每条都从所述敏感层(512)的 一个连接边缘通向一个电极(513a-d)。

7.根据权利要求6所述的辐射探测器(500),其特征在于,所述电极 (513)具有平行于所述连接边缘测量的宽度(dx_a),所述宽度随着距所 述连接边缘的距离而增加。

8.根据权利要求1所述的辐射探测器(100,200,300,400,500),其特 征在于,其包括多个这种敏感层(212,312),所述敏感层在从它们的正面 (F)到它们的背面(B)的方向上一个叠在另一个后面。

9.根据权利要求8所述的辐射探测器(100,200,300,400,500),其特 征在于,其包括至少两个具有相向的正面(F)或背面(B)的相邻敏感层 (212,312)。

10.根据权利要求8所述的辐射探测器(100,200,300,400,500),其 特征在于,绝缘层(214)、半导体层(314)、光子吸收层(414)和/或具有 连接所述电极的线的层位于所述相邻敏感层(212,312,412)之间。

11.根据权利要求10所述的辐射探测器(100,200,300,400,500),其 特征在于,所述光子吸收层(414)高度吸收敏感层(412)中产生的荧光 光子。

12.一种X射线探测器,包括根据权利要求1所述的辐射探测器(100, 200,300,400,500)。

13.一种成像系统,所述成像系统包括根据权利要求1所述的辐射探 测器。

14.根据权利要求13所述的成像系统,其特征在于,所述成像系统是 X射线、CT、PET、SPECT或核成像装置。

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