[发明专利]进行实际流量检验的方法有效
申请号: | 200780042782.3 | 申请日: | 2007-11-14 |
公开(公告)号: | CN101536159A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
发明(设计)人: | 伊克巴尔·A·谢里夫;吉姆·蒂茨;韦尔农·翁;里奇·迈内克 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 吴贵明 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 进行 实际 流量 检验 方法 | ||
1.一种确定等离子处理系统的反应室中实际气体流率的方法,包 括:
在质量流量控制器的控制下由气流输送系统将气体输送 至小孔,所述小孔位于所述反应室的上游;
对所述气体加压以在所述小孔内创建扼流状态;
通过一组压力传感器测量所述气体的一组上游压力值; 和
应用一组校准因子的一个校准因子以确定所述实际气体 流率,所述校准因子是该组上游压力值的平均值与一组极佳上 游压力值的平均值的比,所述极佳上游压力值表示与指示流率 相关联且基于准确气体表的压力值,所述准确气体表指的是基 于实际气体属性和精确小孔的压力对流率的表,所述精确小孔 为直径已知并且没有瑕疵的小孔,所述指示流率是所述质量流 量控制器标示的流率。
2.根据权利要求1所述的方法,其中该组校准因子的每个校准因 子与一组小孔各个具体的小孔相关,所述每个校准因子依赖于 所述各个具体小孔的直径和几何形状的至少一个。
3.根据权利要求1所述的方法,其中将所述校准因子应用于该组 上游压力值以确定修正压力值。
4.根据权利要求3所述的方法,其中通过将所述修正压力值与准 确气体表对比来确定所述实际气体流率,所述准确气体表表示 基于实际气体属性和准确质量流量控制器和精确小孔的多个 压力值和流率值组成的表。
5.根据权利要求4所述的方法,其中所述压力值组成的表是所述 极佳上游压力值组成的表。
6.根据权利要求4所述的方法,进一步包括通过用所述实际气体 流率和所述指示流率之间的差除以所述指示流率为所述质量 流量控制器计算误差百分数。
7.根据权利要求6所述的方法,其中所述误差百分数被用以调节 所述质量流量控制器。
8.根据权利要求1所述的方法,其中该组压力传感器是一组压力 计。
9.根据权利要求7所述的方法,其中该组压力传感器设在所述小 孔上游。
10.一种确认等离子处理系统的反应室中实际气体流率的方法,包 括:
在质量流量控制器的控制下由气流输送系统将气体输送 至小孔,所述小孔位于所述反应室的上游;
对所述气体加压以在所述小孔内创建扼流状态;
通过一组压力传感器测量所述气体的上游压力以采集一 组上游压力值;
根据所述小孔的该组上游压力值计算所述实际气体流 率,其中所述实际气体流率通过将该组上游压力值应用于准确 气体表而得出,所述准确气体表表示基于实际气体属性和准确 质量流量控制器和精确小孔的多个压力值和多个流率值组成 的表,所述精确小孔为直径已知并且没有瑕疵的小孔;和
将所述实际气体流率与指示流率对比,所述指示流率是 所述质量流量控制器标示的流率。
11.根据权利要求10所述的方法,其中所述小孔是精确小孔。
12.根据权利要求11所述的方法,其中所述小孔面积大小小于所 述反应室。
13.根据权利要求10所述的方法,其中该组压力传感器设在所述 小孔上游。
14.根据权利要求13所述的方法,其中该组压力传感器是一组压 力计。
15.根据权利要求10所述的方法,其中该组上游压力值与所述实 际气体流率具有线性关系。
16.根据权利要求10所述的方法,进一步包括通过用所述实际气 体流率和所述指示流率之间的差除以指示流率为所述质量流 量控制器计算误差百分数。
17.根据权利要求16所述的方法,其中所述误差百分数被用以调 节所述质量流量控制器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造