[发明专利]高效发光制品以及形成该高效发光制品的方法

权利要求书

1.一种发光制品，包括：

发光二极管，所述发光二极管包括pn结、发光表面和图案化电 极；和

提取器，所述提取器具有光输入表面，该光输入表面光学耦合到 所述发光表面，形成发光界面；

其中所述图案化电极至少部分地设置在所述发光表面内以及所 述pn结和所述提取器之间。

2.根据权利要求1所述的发光制品，其中所述发光表面为n电极 或p电极。

3.根据权利要求1至2中任一项所述的发光制品，其中所述发光 表面和所述图案化电极形成共面的表面。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光制品，其中所述发光 表面的粗糙度小于20nm。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的发光制品，其中所述图案 化电极具有交叉指型图案或螺旋图案。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的发光制品，其中所述图案 化电极的至少一部分延伸超出所述发光界面。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的发光制品，还包括由所述 发光表面和所述提取器之间的距离限定的间隙，所述间隙小于100nm。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的发光制品，还包括光导粘 合层，该光导粘合层将所述发光表面粘合到所述提取器。

9.一种形成发光制品的方法，包括：

提供包括pn结、发光表面和图案化电极的发光二极管，所述图 案化电极至少部分地设置在所述发光表面内；以及

将提取器的光输入表面光学耦合到所述发光表面，其中所述图案 化电极至少部分地设置在所述pn结和所述提取器之间。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：

在所述发光表面内形成凹陷图案；以及

将导电材料设置在所述凹陷图案中以形成至少部分地设置在所 述发光表面内的图案化电极。

11.根据权利要求9至10中任一项所述的方法，还包括：

在所述设置步骤之后将所述图案化电极和所述发光表面平面化， 以形成表面粗糙度小于20nm的共面发光表面。

12.根据权利要求9至11中任一项所述的方法，其中所述光学耦 合步骤包括利用光导粘合层将所述光输入表面粘合到所述发光表面。

13.一种发光制品阵列，包括：

多个发光二极管，每个发光二极管包括pn结、发光表面和图案 化电极；和

多个提取器，每个提取器具有光学耦合到对应的发光表面的光输 入表面；

其中至少选定的图案化电极至少部分地设置在所述对应的发光 表面内以及对应的pn结和对应的提取器之间。

14.根据权利要求13所述的发光制品的阵列，其中至少选定的发 光表面和图案化电极形成共面的表面。

15.一种形成发光制品阵列的方法，包括：

提供发光二极管阵列，其中每个发光二极管包括pn结、发光表 面和至少部分地设置在所述发光表面内的图案化电极；和

将提取器光输入表面阵列光学耦合到所述发光二极管阵列，其中 至少选定的图案化电极至少部分地设置在对应的pn结和对应的提取器 之间。

16.根据权利要求15所述的方法，还包括：

在至少选定的发光表面中形成凹陷图案；以及

将导电材料设置在凹陷图案中以形成至少部分地设置在至少选 定的发光表面内的图案化电极。

17.根据权利要求16所述的方法，还包括：

在所述设置步骤之后将至少选定的电极和发光表面平面化，以形 成表面粗糙度小于20nm的共面的发光表面。

18.根据权利要求15至17中任一项所述的方法，其中所述提供 步骤包括提供晶片形式的发光二极管阵列。