[发明专利]燃烧排放气体的传感器无效

专利信息
申请号: 200780042825.8 申请日: 2007-10-19
公开(公告)号: CN101617221A 公开(公告)日: 2009-12-30
发明(设计)人: A·德哈恩;M·德布利基 申请(专利权)人: 有机和无机化学公司简称SOCHINOR
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 张力更
地址: 比利时勒*** 国省代码: 比利时;BE
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摘要:
搜索关键词: 燃烧 排放 气体 传感器
【权利要求书】:

1、燃烧排放的气体的传感器,所述传感器包括一种或多种形成吸 附性半导体的金属氧化物,所述半导体的电阻随所吸附的气体变化,其 特征在于所述半导体是无催化化学反应的气体直接吸附性半导体,所述 传感器被布置为用于在明火的情况下检测氮氧化物。

2、燃烧排放的气体的传感器,所述传感器包括一种或多种形成吸 附性半导体的金属氧化物,所述半导体的电阻随所吸附的气体变化,其 特征在于所述半导体是无催化化学反应的气体直接吸附性半导体,所述 传感器被布置为用于在隐燃火的情况下检测部分未燃的气体,尤其是 醇、醛、酮、羧酸或者胺。

3、权利要求1的气体的传感器,其特征在于所述半导体是无催化 化学反应的气体直接吸附性半导体,所述传感器被布置为用于在隐燃火 的情况下检测部分未燃的气体,尤其是醇、醛、酮、羧酸或者胺。

4、权利要求1-3之一的传感器,其特征在于它包括使得能够将半 导体加热到150℃-350℃的温度的加热元件,尤其是电阻元件。

5、权利要求4的气体的传感器,其特征在于加热元件包括温度调 节装置,该温度调节装置被布置为根据使用温度调节传感器的灵敏 度,以用于检测所有类型的火,或用于检测所述的隐燃火,或用于检 测所述的明火。

6、权利要求4或5的传感器,其特征在于金属氧化物和加热元件 的选择使得能够检测包含有机聚合物的电部件或电缆的过热。

7、权利要求1-6之一的传感器,其特征在于金属氧化物选自氧化 钨WO3、氧化铬Cr2O3、氧化铜CuO,氧化镧La2O3或者某些双氧化物如 CrxTiyO3,或者它们的混合物。

8、权利要求1-7之一的传感器,其特征在于金属氧化物以叠层的 形式施加。

9、权利要求1-8之一的传感器,其特征在于所述传感器被置于配 有金属格栅的外壳中。

10、权利要求1-9的传感器,其特征在于其被布置用于检测烟草 烟雾。

11、一种或多种金属氧化物用于在明火的情况下检测氮氧化物的用 途,所述金属氧化物形成无催化化学反应的气体直接吸附性半导体,其 电阻随所吸附气体而变化。

12、一种或多种金属氧化物用于在隐燃火的情况下检测部分未燃的 气体尤其是醇、醛、酮、羧酸或者胺的用途,所述金属氧化物形成无催 化化学反应的气体直接吸附性半导体,其电阻随所吸附气体而变化。

13、权利要求11或12的用途,根据该用途半导体的运行温度可调 节到150℃-350℃的温度。

14、用于生产权利要求1-10之一的燃烧排放的气体的传感器的方 法,根据该方法,在载体上施加至少一种或多种形成吸附性半导体的金 属氧化物,所述半导体的电阻随所吸附的气体变化,其特征在于施加无 催化化学反应的气体直接吸附性半导体作为吸附性半导体。

15、权利要求14的方法,其特征在于通过油墨丝网印刷技术、溶 胶-凝胶法或通过溅射之一将金属氧化物一次或多次沉积到由氧化铝 制成的或由覆盖有硅的氮化物或氧化物层的硅制成的绝缘载体上,所述 载体随后配备电极以及使得能够将氧化物层的温度保持在选自150℃- 350℃的温度下的加热电阻元件。

16、权利要求4、5或6之一的传感器的运行方法,其特征在于向 加热元件提供连续模式或脉冲模式的电流。

17、权利要求1-10之一的传感器的校准方法,其特征在于传感器 的灵敏度在明火的情况下通过氮氧化物校准并且在隐燃火的情况下通 过醇、醛、酮、羧酸和胺来校准。

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