[发明专利]一种密封结构以及制造这种密封结构的方法

权利要求书

1.一种制造结构(1100)的方法，所述方法包括：

在衬底(101)上形成罩元件(401)；

去除所述衬底(101)和所述罩元件(401)之间的邻接区域中的材料(103)，从而形成所述罩元件(401)和所述衬底(101)之间的间隙(802)；

重新布置所述罩元件(401)和/或所述衬底(101)的材料，从而合并所述罩元件(401)和所述衬底(101)，以桥接所述间隙(802)，其中，重新布置材料指的是以不通过另外提供材料闭合间隙、而以衬底和/或罩元件的材料的迁移来自动闭合间隙的方式对结构进行处理，通过对所述结构(1100)进行热退火来重新布置材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述结构(1100)进行热退火包括在氢气环境下对所述结构(1100)进行处理。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述结构(1100)进行热退火包括将所述结构(1100)加热到至少650℃。

4.根据权利要求4所述的方法，其中，对所述结构(1100)进行热退火包括将所述结构(1100)加热到至少800℃。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，对所述结构(1100)进行热退火包括将所述结构(1100)加热到至少900℃。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述结构(1100)进行热退火包括在不高于10Torr的气压下对所述结构(1100)进行处理。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底包括主体以及位于所述主体上的第一牺牲材料(103)，其中，在所述第一牺牲材料(103)上形成所述罩元件(401)，以及其中，随后去除所述第一牺牲材料(103)来形成所述间隙(802)。

8.根据权利要求1所述的方法，其包括形成密封在所述罩元件(401)内的功能性部件(201)。

9.根据权利要求8所述的方法，其包括在所述功能性部件(201)和所述罩元件(401)之间形成第二牺牲元件，以及随后去除所述第二牺牲元件(202)，从而允许所述功能性部件在所述罩元件(401)内运动。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述运动为振荡。

11.根据权利要求8所述的方法，其包括：去除所述衬底(101)和所述功能性部件(201)之间的邻接区域中的材料，从而形成所述衬底(101)和所述功能性部件(201)之间的另一个间隙；以及

重新布置所述衬底(101)和/或所述功能性部件(201)的材料，从而合并所述衬底(101)和所述功能性部件(201)，以桥接所述另一个间隙。

12.根据权利要求11所述的方法，其包括：在去除所述衬底(101)和所述罩元件(401)之间的邻接区域中的材料(103)的同时，去除所述衬底(101)和所述功能性部件(201)之间的邻接区域中的材料。

13.根据权利要求11所述的方法，其包括：在重新布置所述罩元件(401)和/或所述衬底(101)的材料的同时，重新布置所述衬底(101)和/或所述功能性部件(201)的材料。

14.根据权利要求1所述的方法，其包括：在去除所述邻接区域中的材料(103)之前，在所述衬底(101)的一部分上和/或罩元件(401)的一部分上形成保护层(601)，从而防止被保护层(601)覆盖的部分被去除掉。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，通过蚀刻来去除所述衬底(101)和所述罩元件(401)之间的邻接区域中的材料(103)。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述蚀刻是通过由湿法蚀刻和蒸汽蚀刻组成的组中的至少一种蚀刻方式。

17.根据权利要求1所述的方法，其中，形成基本上为U型的所述罩元件(401)。

18.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底(101)和/或所述罩元件(401)包括半导体。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述半导体为硅。

20.根据权利要求1所述的方法，用CMOS技术实现所述方法。