[发明专利]太阳能电池的制造方法及太阳能电池的制造装置

权利要求书

1.一种太阳能电池的制造方法，其中，包括：

使用具有10eV以下的鞘层电位的等离子体使硅层的表层氧化、氮化或氮氧化，在所述硅层的表层形成钝化膜的工序，

在对多结晶的硅层的表层进行氧化处理时，

将含氮的处理气体导入到处理容器内，以使多结晶的硅层和钝化膜之间的界面中的氮原子含有率为5atomic％以下。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

在6.67Pa～6.67×10²Pa的压力下，形成所述钝化膜。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

在200℃～600℃的温度下形成所述钝化膜。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

所述等离子体是通过微波激发的表面波等离子体。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

通过缝隙天线提供用于生成所述等离子体的微波。

6.根据权利要求4所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

以规定周期的脉冲状方式断续地提供用于生成所述等离子体的微波。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

在所述硅层的表层所形成的钝化膜上，通过CVD处理形成氧化膜、氮化膜或氮氧化膜，并进一步形成钝化膜。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

通过使用了等离子体的所述CVD处理来形成所述钝化膜。

9.根据权利要求8所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

在所述CVD处理时，对钝化膜的堆积层施加偏置电力。

10.根据权利要求8所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

在进行用于使所述硅层的表层氧化、氮化或氮氧化的所述处理时、或者所述CVD处理时的至少一种处理时，对处理气体添加氢。

11.根据权利要求8所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

在同一的处理容器内进行用于使所述硅层的表层氧化、氮化或氮氧化的所述处理和所述CVD处理。

12.根据权利要求8所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

在不同的处理容器中进行用于使所述硅层的表层氧化、氮化或氮氧化的所述处理和所述CVD处理，对所述处理容器间的太阳能电池基板 进行真空输送。

13.根据权利要求7所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

在使所述硅层的表层氮氧化而形成钝化膜的情况下，在所述CVD处理时，将含有氧和氮的处理气体导入到处理容器内，使该导入的处理气体的氮相对氧的比率逐渐地增加，以使钝化膜中的氮原子含有率在堆积方向上逐渐地增加。

14.一种太阳能电池的制造装置，其中，

具有处理部，该处理部使用等离子体使硅层的表层氧化、氮化或氮氧化，以在所述硅层的表层形成钝化膜，在所述处理部中，使用具有10eV以下的鞘层电位的等离子体形成所述钝化膜，

在对多结晶的硅层的表层进行氧化处理时，向处理容器内导入含氮的处理气体，以使多结晶的硅层和钝化膜之间的界面中的氮原子含有率为5atomic％以下。

15.根据权利要求14所述的太阳能电池的制造装置，其特征在于，

在所述处理部中，在6.67Pa～6.67×10²Pa的压力下形成所述钝化膜。

16.根据权利要求14所述的太阳能电池的制造装置，其特征在于，

在所述处理部中，在200℃～600℃的温度下形成所述钝化膜。