[发明专利]非易失性存储器件

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包括：

下电极；

上电极；以及

层压结构，在该层压结构中，在所述下电极和所述上电极之间层压至少一个非晶绝缘层和至少一个电阻变化层。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，

其中所述绝缘层由具有比构成所述电阻变化层的材料的介电常数低的材料构成。

3.根据权利要求1或2所述的非易失性存储器件，

其中所述绝缘层包含：含有Al和Si之中至少一种元素的氧化物、氮化物或氧氮化物。

4.根据权利要求1或2所述的非易失性存储器件，

其中所述电阻变化层是结晶层，该结晶层包含所述绝缘层中所包含的至少一种元素。

5.根据权利要求1、2或4所述的非易失性存储器件，

其中所述电阻变化层包含氧化物，该氧化物含有从由Ni、V、Zn、Nb、Ti、W和Co组成的组中选择的至少一种类型的元素。

6.根据权利要求1、2、4或5所述的非易失性存储器件，

其中所述电阻变化层包含结晶镍氧化物，并且

所述绝缘层包含非晶镍氧化物。

7.根据权利要求1到6任一项所述的非易失性存储器件，

其中所述下电极和所述上电极包含从由Pt、Ru、RuO₂、Ir、Ti、TiN和WN组成的组中选择的至少一种类型的物质。