[发明专利]背接触型太阳能电池

权利要求书

1.一种生产背接触型太阳能电池的方法，其中所述方法包括应用 硅衬底、晶片或薄膜，该硅衬底、晶片或薄膜在背面上在交叉指型图 案中以交替的P型和N型导电性进行掺杂，

其特征在于，所述方法进一步包括：

-在所述衬底的前面上沉积一个或多个表面钝化层，

-在所述衬底的背面上沉积表面钝化层，其中在所述背面上的表面 钝化层包括内部非晶硅层或内部非晶碳化硅层，所述内部非晶硅层或 内部非晶碳化硅层之后是氢化氮化硅外层，

-产生用于所述衬底背面上的层的每个掺杂区域的在所述衬底的 背面上的所述氢化氮化硅外层中的至少一个开口，

-沉积金属层，所述金属层基本覆盖全部背面并且填充所述表面钝 化层中的开口，

-对所述钝化层退火并且同时获得实现沉积的金属层，从而与所述 内部非晶硅层或所述内部非晶碳化硅层下方的P型掺杂区域或N型掺 杂区域产生接触，以及

-在沉积的金属层中产生开口，从而获得与在衬底背面上的掺杂区 域的电绝缘接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述晶片的前面 上掺杂有P型或N型层。

3.根据权利要求1所述的方法，

其特征在于，

-所述表面钝化层中的开口仅制作在所述氢化氮化硅层(7)中。

4.根据权利要求1至3中的任何一项所述的方法，

其特征在于，

-所述金属层是铝或是镍。

5.根据权利要求1至3中的任何一项所述的方法，

其特征在于，

将所述衬底加热至200-700℃范围中的的温度。

6.根据权利要求1至3中的任何一项所述的方法，

其特征在于，将所述衬底加热至300-600℃范围内的温度。

7.根据权利要求3所述的方法，

其特征在于，

-在所述衬底背面上的内部非晶硅层具有1-150nm范围中的厚度，

-在所述前面上的表面钝化层包括内部非晶硅层或者内部非晶碳 化硅层，在所述内部非晶硅层或者内部非晶碳化硅层之后是氢化氮化 硅层，所述氢化氮化硅层具有10-200nm范围中的厚度，

-在所述衬底背面上的氢化氮化硅层具有10-200nm范围中的厚 度。

8.根据权利要求4所述的方法，

其特征在于，

-所述铝层具有1-50μm范围中的厚度，并且通过利用溅射或蒸发 来沉积，以及

-在约500℃的温度下进行后面的热处理4分钟。

9.根据权利要求1至3中的任何一项所述的方法，

其特征在于，所述表面钝化层中的开口通过以下步骤获得：

-利用蚀刻剂，所述蚀刻剂被喷墨印刷或丝网印刷到所述衬底背面 的外部表面钝化层的区域上，

-利用激光以烧蚀所述表面钝化层，或者

-丝网印刷或喷墨印刷覆盖要保留在所述衬底背面上的表面钝化 层的区域的化学抗蚀剂，以及丝网印刷或喷墨印刷覆盖所述衬底的整 个前表面钝化层的化学抗蚀剂，接着将所述衬底至少部分地浸入蚀刻 剂中以去除未保护的钝化膜。

10.根据权利要求9所述的方法，

其特征在于，

所述蚀刻剂包含下列溶剂中的一种或多种：包括稀释或浓缩HF、 KOH或NaOH的溶液，或者包括HF、HNO₃和CH₃COOH的混合物。