[发明专利]碳膜层压体及其制备方法无效
| 申请号： | 200780044110.6 | 申请日： | 2007-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN101541399A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 市川明昌;矢吹美由纪 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | B01D53/22 | 分类号： | B01D53/22;B01D63/06;B01D69/12;B01D71/02;B01D67/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟 晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 层压 及其 制备 方法 | ||
1.一种碳膜层压体，包括：
多孔基底，
作为碳膜底层设置在所述多孔基底表面上的第一多孔碳膜，和
具有比所述碳膜底层更小膜厚度和更小平均孔径的、作为碳膜分离层设置在所述碳膜底层表面上的第二多孔碳膜。
2.根据权利要求1的一种碳膜层压体，其中，所述碳膜底层和碳膜分离层通过在400到1000℃、非氧化气氛中将设置在多孔基底表面上的作为底层前体的碳膜底层前体和设置在所述底层前体表面上的作为分离层前体的碳膜分离层前体进行碳化而形成。
3.根据权利要求2的一种碳膜层压体，其中，所述底层前体为一个包含聚酰亚胺树脂作为主要成分的层。
4.根据权利要求2的一种碳膜层压体，其中，所述分离层前体为一个包含木质素作为主要成分的层。
5.根据权利要求1到4任何一项的一种碳膜层压体，其中，所述碳膜底层具有0.05到5.0μm的厚度，所述碳膜分离层具有0.001到1.0μm的厚度。
6.根据权利要求1到5任何一项的一种碳膜层压体，其中，所述碳膜底层具有0.2到100nm的平均孔径，所述碳膜分离层具有0.1到5.0nm的平均孔径。
7.根据权利要求6的一种碳膜层压体，其中，所述碳膜底层具有0.2到10nm的平均孔径，所述碳膜分离层具有0.1到1.0nm的平均孔径。
8.一种用于制备碳膜层压体的方法，包括步骤：
在多孔基底上设置作为底层前体的第一碳膜前体以形成底层前体设置体，
在所述底层前体的表面上设置比所述底层前体薄的、作为分离膜前体的第二碳膜前体以形成碳膜前体层压体，和
热处理所述碳膜前体层压体以使所述底层前体和分离层前体分别碳化形成设置在所述多孔基底表面上的碳膜底层和设置在所述碳膜底层表面上的碳膜分离层；
碳膜分离层具有比碳膜底层更小的平均孔径和更小的膜厚度。
9.根据权利要求8的一种用于制备碳膜层压体的方法，其中，所述热处理是在400到1000℃、非氧化气氛的条件下进行的。
10.根据权利要求8或9的一种用于制备碳膜层压体的方法，其中，所述底层前体为一个包含聚酰亚胺树脂作为主要成分的层。
11.根据权利要求8到10任意一项的一种用于制备碳膜层压体的方法，其中，所述分离层前体为一个包含木质素作为主要成分的层。
12.根据权利要求8到11任意一项的一种用于制备碳膜层压体的方法，其中，所述碳膜底层具有0.05到5.0μm的厚度，所述碳膜分离层具有0.001到1.0μm的厚度。
13.根据权利要求8到12任意一项的一种用于制备碳膜层压体的方法，其中，所述碳膜底层具有0.2到100nm的平均孔径，所述碳膜分离层具有0.1到5.0nm平均孔径。
14.根据权利要求13的一种碳膜层压体，其中，所述碳膜底层具有0.2到10nm的平均孔径，所述碳膜分离层具有0.1到1.0nm的平均孔径。
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