[发明专利]硼扩散源的使用方法及半导体的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及硼扩散源的使用方法及使用该硼扩散源的半导 体的制造方法。

背景技术

为了使硼在例如锗、硅等半导体晶片中扩散以形成p型半导 体，将硼扩散源和半导体晶片置于炉内(例如等间隔交替排列)， 在非氧化性气体气氛下进行加热。这时，随着扩散的进行，硼 扩散源的氧化硼被消耗，渐渐地难以得到均匀的硼扩散。因此， 在适当的时候进行硼扩散源的再氧化处理，在表面生成氧化硼， 但这种再氧化处理费时费力并且增加成本(专利文献1)。

专利文献1：日本特开2006-294964号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明的目的在于，提供可以延长到再氧化处理的间隔时 间的硼扩散源的使用方法以及使用该硼扩散源的半导体的制造 方法。

用于解决问题的方案

本发明人为了实现上述目的进行了刻苦研究后，完成了实 现该目的并具有下述要点的发明。

(1)硼扩散源的使用方法，其特征在于，在氧气浓度为0.3～ 5体积％的非氧化性气体气氛下使用由复合烧结体构成的硼扩 散源，其中所述复合烧结体含有氧化铝(Al₂O₃)成分、氧化硅 (SiO₂)成分以及氮化硼(BN)成分。

(2)根据上述(1)所述的硼扩散源的使用方法，将前述非 氧化性气体以0.5～15L/分钟的比例供给到扩散炉中而成。

(3)根据上述(1)或(2)所述的硼扩散源的使用方法， 作为前述硼扩散源，使用氧化铝(Al₂O₃)成分和氧化硅(SiO₂) 成分的合计含有率为30～70质量％、氮化硼(BN)成分的含有 率为30～70质量％并且Al₂O₃/SiO₂的摩尔比为1.0～2.4的复合 烧结体。

(4)根据上述(1)～(3)任一项所述的硼扩散源的使用 方法，氧化铝(Al₂O₃)成分是γ-氧化铝或者α-氧化铝。

(5)根据上述(1)～(3)任一项所述的硼扩散源的使用 方法，氧化硅(SiO₂)成分是SiO₂粉末、气相二氧化硅(Aerosil) 或硼硅酸玻璃。

(6)根据上述(1)～(3)任一项所述的硼扩散源的使用 方法，氮化硼(BN)成分是氮化硼粉末。

(7)根据上述(1)～(6)任一项所述的硼扩散源的使用 方法，使用采用阿基米德法测得的开孔率为10％以上45％以下 的硼扩散源。

(8)一种半导体的制造方法，其特征在于，将由复合烧结 体构成的硼扩散源和半导体晶片置于扩散炉内，在氧气浓度为 0.3～5体积％的非氧化性气体气氛下加热，其中所述复合烧结 体含有氧化铝(Al₂O₃)成分、氧化硅(SiO₂)成分以及氮化硼 (BN)成分，氧化铝(Al₂O₃)成分和氧化硅(SiO₂)成分的 合计含有率为30～70质量％，氮化硼(BN)成分的含有率为30～ 70质量％，并且Al₂O₃/SiO₂的摩尔比为1.0～2.4。

(9)根据上述(8)所述的半导体的制造方法，将前述非氧 化性气体以0.5～15L/分钟的比例供给到扩散炉中。

发明的效果

根据本发明，在硼扩散源的表面总是存在氧化硼，因此能 够延长到再氧化处理的间隔时间。进一步，能够提供适合在半 导体晶片中扩散硼以形成p型半导体的半导体的制造方法。

具体实施方式