[发明专利]利用受控二极管导通的低噪声直流/直流转换器

权利要求书

1.一种使用开关式的电感器电压转换器将第一DC电压转换为第二DC 电压的方法，该开关式的电感器电压转换器包括主MOSFET、同步整流 MOSFET、以及电感器，该方法包括：将同步整流MOSFET在完全接通状态 和低电流状态之间切换，其中，该同步整流MOSFET从不完全截止，在完全 接通状态承载范围在0.5A到5A内的电流，而在低电流状态承载范围在1μA 到1mA的电流。

2.如权利要求1所述的方法，包括以下述开关序列操作该开关式的电感 器电压转换器，该开关序列包括：主MOSFET接通的磁化间隔，主MOSFET 截止的第一先断后合间隔；主MOSFET截止并且同步整流MOSFET切换为 完全接通状态的续流间隔；主MOSFET截止的第二先断后合间隔；以及二极 管恢复间隔，该方法包括在第二先断后合间隔内将同步整流MOSFET切换为 低电流状态。

3.如权利要求2所述的方法，包括在磁化间隔内将同步整流MOSFET 切换为低电流状态。

4.如权利要求3所述的方法，包括在第一先断后合间隔内将同步整流 MOSFET切换为低电流状态。

5.如权利要求2所述的方法，包括在二极管恢复间隔内将同步整流 MOSFET切换为低电流状态。

6.如权利要求2所述的方法，包括在轻负载情况下操作该开关式的电感 器电压转换器，在该轻负载情况下，该开关序列包括在续流间隔之后的电流 反向间隔，该方法包括在该电流反向间隔内将同步整流MOSFET切换为低电 流状态。

7.一种使用开关式的电感器电压转换器将第一DC电压转换为第二DC 电压的方法，该开关式的电感器电压转换器包括同步整流MOSFET、主 MOSFET以及电感器，该方法包括：将同步整流MOSFET在完全接通状态和 低电流状态之间切换，其中，该同步整流MOSFET从不完全截止，在完全接 通状态承载范围在5A到50A内的电流，而在低电流状态承载范围在100μA 到300mA的电流。

8.如权利要求7所述的方法，包括以下述开关序列操作该开关式的电感 器电压转换器，该开关序列包括：主MOSFET接通的磁化间隔，主MOSFET 截止的第一先断后合间隔；主MOSFET截止并且同步整流MOSFET切换为 完全接通状态的续流间隔；主MOSFET截止的第二先断后合间隔；以及二极 管恢复间隔，该方法包括在第二先断后合间隔内将同步整流MOSFET切换为 低电流状态。

9.如权利要求8所述的方法，包括在磁化间隔内将同步整流MOSFET 切换为低电流状态。

10.如权利要求9所述的方法，包括在第一先断后合间隔内将同步整流 MOSFET切换为低电流状态。

11.如权利要求8所述的方法，包括在二极管恢复间隔内将同步整流 MOSFET切换为低电流状态。

12.如权利要求8所述的方法，包括在轻负载情况下操作开关式的电感 器电压转换器，在该轻负载情况下，该开关序列包括在续流间隔之后的电流 反向间隔，该方法包括在电流反向间隔内将同步整流MOSFET切换为低电流 状态。

13.一种使用开关式的电感器电压转换器将第一DC电压转换为第二DC 电压的方法，该开关式的电感器电压转换器包括主MOSFET、同步整流 MOSFET以及电感器，该方法包括：将同步整流MOSFET在(a)使同步整 流MOSFET的沟道反向的完全接通状态和(b)使同步整流MOSFET操作为 电流源的低电流状态之间切换，其中同步整流MOSFET从不处于完全截止状 态。

14.如权利要求13所述的方法，其中同步整流MOSFET在低电流状态 下饱和。

15.如权利要求14所述的方法，其中同步整流MOSFET在完全接通状 态下操作在其线性区。