[发明专利]低能量、高剂量砷、磷与硼注入晶片的安全处理

权利要求书

1.一种衬底处理方法，包含：

在一处理室中将一掺杂剂注入至一膜层内；以及

在该已注入膜层暴露于大气中的氧气下之前，先将该已注入膜层暴露于一含氧电浆中，以在该已注入膜层上形成氧化层而将该掺杂剂留在该膜层内。

2.如权利要求1所述的方法，其中该掺杂剂选自于由砷、磷、硼及其组合物所构成的群组中。

3.如权利要求2所述的方法，其中该含氧电浆是由氧气所形成。

4.如权利要求3所述的方法，其中该注入步骤与暴露步骤在相同的处理室中执行。

5.如权利要求4所述的方法，其中该电浆是藉由一电容耦合来源所产生。

6.如权利要求5所述的方法，其中该电浆是除了该电容耦合来源之外，还借着一感应耦合来源而生成。

7.如权利要求4所述的方法，其中该电浆是借着一感应耦合来源所产生。

8.如权利要求1所述的方法，更包括在该含氧电浆以外，使该已注入膜层独立地暴露于一含氢电浆中。

9.如权利要求8所述的方法，其中使该已注入膜层暴露于一含氢电浆中的步骤是发生在该注入步骤之后并且在该暴露于一含氧电浆的步骤之前。

10.如权利要求9所述的方法，其中该暴露于一含氢电浆的步骤以及该暴露于一含氧电浆的步骤是执行多次。

11.如权利要求8所述的方法，其中使该已注入膜层暴露于一含氢电浆中的步骤是发生在该注入步骤之后并且发生在该暴露于一含氧电浆的步骤之后。

12.如权利要求11所述的方法，其中该暴露于一含氢电浆的步骤以及该暴露于一含氧电浆的步骤是执行多次。

13.如权利要求1所述的方法，更包括在该氧化层上沉积一覆盖层，其中该覆盖层选自于由碳层、硅层、氧化硅层、氮化硅层、碳化硅层、有机层及其组合物所构成的群组中。

14.如权利要求13所述的方法，更包括在该注入步骤之后以及该暴露步骤之前蚀刻该膜层，其中该蚀刻步骤移除过量的掺杂剂，并且其中该蚀刻步骤包括使该已注入膜层暴露于由三氟化氮(NF₃)所形成的电浆中。

15.一种衬底处理方法，包括：

在一处理室中将一掺杂剂注入至一衬底上的一膜层内；以及

在该已注入膜层暴露于大气中的氧气下之前，先在该已注入掺杂剂的膜层上沉积一覆盖层，其中该覆盖层选自于由碳层、硅层、氧化硅层、氮化硅层、碳化硅层、有机层及其组合物所构成的群组中。

16.如权利要求15所述的方法，更包括在该注入步骤之后及该沉积步骤之前蚀刻该膜层，其中该蚀刻步骤移除过量的掺杂剂，并且其中该蚀刻步骤包括使该已注入膜层暴露于由三氟化氮(NF₃)所形成的电浆中。

17.如权利要求15所述的方法，其中该注入步骤与该沉积步骤是在相同的处理室中执行。

18.一种衬底处理方法，包括：

在一处理室中将一掺杂剂注入至一衬底上的一膜层内；以及

在将该已注入膜层暴露于大气中的氧气下之前，使用由三氟化氮所形成的电浆来蚀刻该已注入膜层，以移除过量的掺杂剂。

19.如权利要求18所述的方法，更包括将该已蚀刻的膜层暴露于一含氧电浆中，以在该已注入膜层上形成氧化层而将该掺杂剂留在该膜层中。

20.如权利要求18所述的方法，其中该注入步骤与该暴露步骤是在相同的处理室中执行。